炭化ケイ素半導体装置は、第1導電型炭化ケイ素層３２と、第２導電型炭化ケイ素層３６と、ゲートトレンチ２０と、ゲートトレンチ２０内に設けられたゲート電極７９と、ゲートトレンチ２０よりも深い深さまで形成されたプロテクショントレンチ１０と、を備えている。水平方向において、ゲートトレンチ２０と、ゲートトレンチ２０の一部のみを水平方向で取り囲むプロテクショントレンチ１０の両方を含む領域がセル領域となり、水平方向において、プロテクショントレンチ１０を含み、ゲートパッド８９又は当該ゲートパッド８９に接続された引き回し電極が配置される領域がゲート領域となる。セル領域のゲートトレンチ２０の上方及びゲート領域に第２導電部材８１が設けられ、当該第２導電部材８１は、セル領域のうちプロテクショントレンチ１０が設けられていない箇所の上方を経て、セル領域のゲートトレンチ２０の上方からゲート領域にわたって配置されている。