本発明は、予め定める層厚の複数の炭化珪素エピタキシャル層を精度良く形成することができる炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法を提供することを目的とする。本発明では、ｎ型ＳｉＣ基板（１）上に、ｎ型ＳｉＣ基板（１）との間における不純物濃度の変化率が２０％以上になるように、第１のｎ型ＳｉＣエピタキシャル層（２）を形成する。第１のｎ型ＳｉＣエピタキシャル層（２）上に、第１のｎ型ＳｉＣエピタキシャル層（２）との間における不純物濃度の変化率が２０％以上になるように、第２のｎ型ＳｉＣエピタキシャル層（３）を形成する。