Ｓｉ基板上に成膜したＮｄ－Ｆｅ－Ｂからなる希土類薄膜磁石であって、前記希土類薄膜の膜厚が７０μｍ以下の場合、Ｎｄ含有量が原子数比で０．１５≦Ｎｄ／（Ｎｄ＋Ｆｅ）≦０．２５の条件式を満たし、前記希土類薄膜の膜厚が７０μｍ～１１５μｍ（但し、７０μｍは除く）の場合、Ｎｄ含有量が原子数比で０．１８≦Ｎｄ／（Ｎｄ＋Ｆｅ）≦０．２５の条件式を満たし、前記希土類薄膜の膜厚が１１５μｍ～１６０μｍ（但し、１１５μｍは除く）の場合、Ｎｄ含有量が原子数比で０．２０≦Ｎｄ／（Ｎｄ＋Ｆｅ）≦０．２５の条件式を満たすことを特徴とする希土類薄膜磁石。本発明は、膜の剥離や基板の破壊が生じない、最大膜厚１６０μｍの希土類薄膜磁石及び当該薄膜を安定して成膜できる希土類薄膜磁石の製造方法を提供することを課題とする。