发明申请
- 专利标题： 半導体装置の製造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor device production method
- 专利标题（中）： 半导体器件生产方法
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申请号： PCT/JP2015/079161申请日： 2015-10-15
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公开(公告)号： WO2016080116A1公开(公告)日： 2016-05-26
- 发明人: 志賀 豪士 , 石井 淳 , 飯野 智絵
- 申请人： 日東電工株式会社
- 申请人地址： 〒5678680 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 Osaka JP
- 专利权人： 日東電工株式会社
- 当前专利权人： 日東電工株式会社
- 当前专利权人地址： 〒5678680 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 Osaka JP
- 代理机构： 特許業務法人 ユニアス国際特許事務所
- 优先权： JP2014-232859 20141117
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60 ; H01L21/56
摘要：
半導体チップが支持体上に固定された積層体を準備する工程Ａと、積層体の半導体チップ上に、封止用シートと保護フィルムとを配置する工程Ｂと、半導体チップを封止用シートに埋め込み、半導体チップが封止用シートに埋め込まれた封止体を形成する工程Ｃと、封止体の封止用シートを熱硬化させる工程Ｄと、工程Ｄの後に、保護フィルムを剥離する工程Ｅとを含む半導体装置の製造方法。
IPC分类:
