提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管及薄膜晶体管基板，该低温多晶硅薄膜晶体管包括：基底（1）；第一栅极（2），设置在基底（1）上；多晶硅层（3），设置在基底（1）上并覆盖第一栅极（2），其中，多晶硅层（3）包括源极区域（11）、漏极区域（12）以及形成在源极区域（11）与漏极区域（12）之间的沟道区域（13）；第二栅极（4），设置在多晶硅层（3）上；其中，低温多晶硅薄膜晶体管在驱动时，第一栅极（2）与第二栅极（4）分别施加极性相反的第一电压和第二电压。通过上述方式，能够降低回踢电压，提升TFT效能。