本技術は、光電変換部の光電変換特性の劣化を抑制することができるようにする固体撮像素子および電子機器に関する。 固体撮像素子は、半導体基板の外側に形成された光電変換部と、光電変換部で生成された信号電荷を保持する電荷保持部と、電荷保持部の電位をリセットするリセットトランジスタと、電荷保持部に接続され、電荷保持部の容量を切り替える容量切替トランジスタと、容量切替トランジスタに接続された付加容量素子とを有する画素を備える。本技術は、例えば、固体撮像素子等に適用できる。