エッチング処理時に基板エッジ部に負電荷が集中することを防止することで、高アスペクト比のホール内面にカバレッジよく薄膜を成膜できる成膜装置を提供する。　ターゲット２１が配置される真空チャンバ１と、真空チャンバ内で基板Ｗを保持するステージ４と、ターゲットに所定の電力を投入する第１電源Ｅ１と、ステージに交流電力を投入する第２電療Ｅ２とを備え、第１電源によりターゲットに電力投入してターゲットをスパッタリングする成膜処理と、第２電源によりステージに交流電力を投入して基板に成膜された薄膜をエッチングするエッチング処理とを行い得る本発明の成膜装置ＳＭは、基板の周囲に防着板７ｃが配置され、ステージで保持される基板の成膜面側を上とし、基板に近接する防着板の部分７１が基板上面と同等の平面上に位置する成膜位置と、この防着板の部分が基板上面から上方に位置するエッチング位置との間でシールドを上下動する駆動手段８を備える。