Invention Application
- Patent Title: 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
- Patent Title (English): Substrate-processing method, computer storage medium, and substrate-processing system
- Patent Title (中): 基板处理方法,计算机存储介质和基板处理系统
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Application No.: PCT/JP2016/053988Application Date: 2016-02-10
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Publication No.: WO2016140031A1Publication Date: 2016-09-09
- Inventor: 村松 誠 , 冨田 忠利 , 源島 久志 , 楊 元 , 北野 高広 , 西 孝典
- Applicant: 東京エレクトロン株式会社
- Applicant Address: 〒1076325 東京都港区赤坂五丁目3番1号 Tokyo JP
- Assignee: 東京エレクトロン株式会社
- Current Assignee: 東京エレクトロン株式会社
- Current Assignee Address: 〒1076325 東京都港区赤坂五丁目3番1号 Tokyo JP
- Agency: 金本 哲男
- Priority: JP2015-043551 20150305
- Main IPC: H01L21/027
- IPC: H01L21/027 ; B82Y40/00 ; C08F297/00
Abstract:
親水性ポリマー(411)と疎水性ポリマー(412)とを含むブロック共重合体を用いた基板処理方法はポリマー分離工程を有し、ブロック共重合体における親水性ポリマーの分子量の比率は、ポリマー分離工程後に親水性ポリマー(411)が平面視において六方最密構造に対応する位置に配列するように20%~40%に調整され、ポリマー分離工程においては、疎水性の塗布膜による円形状の各パターン(404)上に円柱状の第1の親水性ポリマー(411a)をそれぞれ相分離させ、各第1の親水性ポリマー(411a)の間に、円柱状の第2の親水性ポリマー(411b)を相分離させて、第1の親水性ポリマー(411a)と第2の親水性ポリマー(411b)が平面視において六方最密構造に対応する位置に配列するように、円形状のパターン(404)の直径が定められている。
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IPC分类: