チップ部品を積層させた半導体装置の製造時間を短縮するとともにチップ部品間の接合不良等の発生を抑制することができる半導体装置の製造方法、半導体実装装置および半導体装置の製造方法で製造されたメモリデバイスの提供を目的とする。具体的には、半導体ウェハＷを積層する半導体装置１の製造方法であって、ＮＣＦを介して複数の半導体ウェハＷを積層加熱し、チップ部品Ｐ毎に設けられた貫通電極ＰｂのはんだＰａと隣接する半導体ウェハＷの貫通電極Ｐｂとの間隙が所定の範囲Ｇｔ以内に収まるように半導体ウェハＷを加圧して仮圧着積層体ＷＬを作製する仮圧着工程と、仮圧着積層体ＷＬをダイシングブレード１８で切断してチップ部品Ｐが積層された仮圧着された積層チップ部品ＰＬを作製する切断工程と、仮圧着された積層チップ部品ＰＬをはんだＰａの融点以上に加熱および加圧して積層チップ部品ＰＬを作製する本圧着工程とを含む。