一种双栅极氧化物半导体TFT基板的制作方法及其结构，双栅极氧化物半导体TFT基板的制作方法使用半色调掩膜板进行一道光罩制程既能够完成氧化物半导体层的图案化，又能够通过离子掺杂得到氧化物导体层(53')；通过一道光罩制程同时对底栅绝缘层(31)与顶栅绝缘层(32)进行图案化处理；通过一道光罩制程同时对第二、第三金属层进行图案化处理，得到第一源极(81)、第一漏极(82)、第二源极(83)、第二漏极(84)、第一顶栅极(71)、及第二顶栅极(72)；通过一道光罩制程同时对第二平坦层(9)、钝化层(8)、及顶栅绝缘层(32)进行图案化处理，光罩制程减少至九道，有效简化了制程，提高了生产效率，降低了生产成本。