Invention Application
- Patent Title: メモリ装置
- Patent Title (English): Memory device
- Patent Title (中): 内存设备
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Application No.: PCT/JP2015/064409Application Date: 2015-05-20
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Publication No.: WO2016185574A1Publication Date: 2016-11-24
- Inventor: 守時 直樹 , 半澤 悟
- Applicant: 株式会社日立製作所
- Applicant Address: 〒1008280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 Tokyo JP
- Assignee: 株式会社日立製作所
- Current Assignee: 株式会社日立製作所
- Current Assignee Address: 〒1008280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 Tokyo JP
- Agency: 特許業務法人第一国際特許事務所
- Main IPC: G06F12/16
- IPC: G06F12/16 ; G11C11/15
Abstract:
本発明の一実施形態に係るメモリ装置は、磁気メモリを用いたメモリチップと、当該メモリチップへの読み書きを制御するメモリコントローラを有する。メモリコントローラは、メモリコントローラ外部からのリード要求を受領すると、メモリチップにリードコマンドを送信することで、メモリチップ内のデータを読み出す。またメモリコントローラはメモリチップの各領域に対して更新コマンドを送信することで、メモリチップに格納されたデータの書き戻しを行う。
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