Invention Application
- Patent Title: 射线检测基板及其制造方法、射线探测器
- Patent Title (English): Ray detection substrate and manufacturing method therefor, ray detector
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Application No.: PCT/CN2015/093900Application Date: 2015-11-05
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Publication No.: WO2017000458A1Publication Date: 2017-01-05
- Inventor: 郭炜 , 刘兴东
- Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
- Applicant Address: 中国北京市朝阳区酒仙桥路10号, Beijing 100015 CN
- Assignee: 京东方科技集团股份有限公司
- Current Assignee: 京东方科技集团股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国北京市朝阳区酒仙桥路10号, Beijing 100015 CN
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Priority: CN201510369712.5 20150629
- Main IPC: H01L27/146
- IPC: H01L27/146 ; G01T1/202
Abstract:
一种射线检测基板及其制造方法和射线探测器。该射线检测基板包括:衬底基板(7)以及形成于衬底基板(7)上的薄膜晶体管(81)和信号存储单元;该薄膜晶体管(81)包括依次形成于该衬底基板(7)上的栅极(801)、绝缘层(802)、有源层(803)、源极(814)、漏极(824)和钝化层(806);该信号存储单元包括存储电容(85),该存储电容(85)包括第一电极(807)和第二电极(809),该第一电极(807)形成在该绝缘层(802)上并与该漏极(824)搭接,该第二电极(809)连接接地线(820);该钝化层(806)形成在该源极(814)、该漏极(824)、该第一电极(807)和该接地线(820)上。通过第一电极(807)与漏极(824)搭接、第二电极(809)与接地线(820)通过第一过孔(811)连接、第三电极(810)通过第二过孔(822)连接第一电极(807)的方式,减少掩膜使用次数,简化了射线检测基板生产的加工工艺,降低了生产成本。
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IPC分类: