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发明申请
WO2017047152A1 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイスの製造方法 审中-公开
氧化物烧结体，其制造方法，溅射靶和制造半导体器件的方法

酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイスの製造方法
摘要：
　インジウム、タングステンおよび亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、酸化物焼結体の主成分であり、ビックスバイト型結晶相を含む第１結晶相と、第１結晶相よりも亜鉛の含有率が高い第２結晶相とを含み、第２結晶相を構成する粒子は、平均長軸径が３μｍ以上５０μｍ以下であり、平均アスペクト比が４以上５０以下である酸化物焼結体が提供される。
摘要（中）：

提供了含有铟，钨和锌的氧化物烧结体，其包含作为氧化物烧结体的主要成分的第一结晶相，并且含有比第一晶体更高的锌含量的二氧化硅结晶相和第二结晶相 相，并且其中构成第二结晶相的粒子的平均长轴长度为3μm〜50μm（含），平均纵横比为4〜50（含）以上。

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