Invention Application
- Patent Title: 有机半导体薄膜晶体管及其制作方法
- Patent Title (English): Organic semiconductor thin film transistor and method for manufacturing same
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Application No.: PCT/CN2015/100234Application Date: 2015-12-31
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Publication No.: WO2017084187A1Publication Date: 2017-05-26
- Inventor: 徐洪远 , 苏长义
- Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
- Applicant Address: 中国广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号丁珂, Guangdong 518132 CN
- Assignee: 深圳市华星光电技术有限公司
- Current Assignee: 深圳市华星光电技术有限公司
- Current Assignee Address: 中国广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号丁珂, Guangdong 518132 CN
- Agency: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)
- Priority: CN201510802435.2 20151118
- Main IPC: H01L51/05
- IPC: H01L51/05 ; H01L51/40
Abstract:
一种有机半导体薄膜晶体管,包括基板(110)、数据线(121)、中转区(122)、源极(131)、漏极(132)、主动层图案(141)、第一绝缘层(142)、栅极(151)、第二绝缘层(152)以及透明电极(171),数据线以及中转区设置于基板之上,源极以及漏极设置于基板、数据线以及中转区之上,主动层图案设置于数据线、中转区、基板、源极以及漏极之上。通过设置主动层图案在源极以述漏极之上,避免了源极以及漏极受到等离子体轰击。
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IPC分类: