Invention Application
WO2017103497A1 PROCÉDÉ D'ÉCRITURE DANS UNE MÉMOIRE NON-VOLATILE D'UNE ENTITÉ ÉLECTRONIQUE ET ENTITÉ ÉLECTRONIQUE ASSOCIÉE 审中-公开
在电子实体和相关电子实体的非易失性存储器中写入的方法

  • Patent Title: PROCÉDÉ D'ÉCRITURE DANS UNE MÉMOIRE NON-VOLATILE D'UNE ENTITÉ ÉLECTRONIQUE ET ENTITÉ ÉLECTRONIQUE ASSOCIÉE
  • Patent Title (English): Method for writing in a non-volatile memory of an electronic entity, and related electronic entity
  • Patent Title (中): 在电子实体和相关电子实体的非易失性存储器中写入的方法
  • Application No.: PCT/FR2016/053456
    Application Date: 2016-12-15
  • Publication No.: WO2017103497A1
    Publication Date: 2017-06-22
  • Inventor: BARBU, GuillaumeANDOUARD, Philippe
  • Applicant: OBERTHUR TECHNOLOGIES
  • Applicant Address: 420 rue d'Estienne d'Orves 92700 Colombes FR
  • Assignee: OBERTHUR TECHNOLOGIES
  • Current Assignee: OBERTHUR TECHNOLOGIES
  • Current Assignee Address: 420 rue d'Estienne d'Orves 92700 Colombes FR
  • Agency: ORSINI, Fabienne et al.
  • Priority: FR1562376 20151215
  • Main IPC: G06F12/14
  • IPC: G06F12/14 G06F21/55
PROCÉDÉ D'ÉCRITURE DANS UNE MÉMOIRE NON-VOLATILE D'UNE ENTITÉ ÉLECTRONIQUE ET ENTITÉ ÉLECTRONIQUE ASSOCIÉE
Abstract:
Un procédé d'écriture dans une mémoire non-volatile (6) d'une entité électronique (1) comprend les étapes suivantes : - détermination d'un état de fonctionnement de l'entité électronique (1); - en cas de fonctionnement anormal, écriture d'une première donnée dans une première zone de la mémoire non-volatile (6); - en cas de fonctionnement normal, écriture d'une seconde donnée dans une seconde zone de la mémoire non-volatile (6). Le procédé comprend une étape de détermination aléatoire d'un emplacement de la seconde zone parmi une pluralité d'emplacements de la seconde zone, ladite écriture de la donnée dans la seconde zone étant réalisée à l'emplacement déterminé. Une entité électronique associée est également proposée.
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