一种TFT基板的制造方法，包括：在衬底层形成第一金属层（S101）；在第一金属层上形成第一绝缘层（S102）；在第一绝缘层上形成半导体活性层（S103）；形成第二金属层，其中，第二金属层包括第一公共电极层（S104）；在第二金属层上形成第二绝缘层（S105）；在第二绝缘层上形成树脂层（S106）；在树脂层上形成ITO层，其中，ITO层包括第二公共电极层（S107）；第一公共电极层和第二公共电极层分别与TFT基板的透光区域对应设置。通过上述方式，能够增大存储电容的容量，避免因增加存储电容的容量而造成的开口率下降的问题发生。