Invention Application
- Patent Title: 薄膜晶体管、阵列基板、显示面板以及显示装置及其制造方法
- Patent Title (English): Thin-film transistor, array substrate, display panel, display device, and manufacturing methods thereof
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Application No.: PCT/CN2017/073157Application Date: 2017-02-09
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Publication No.: WO2017193657A1Publication Date: 2017-11-16
- Inventor: 吕振华 , 王世君 , 陈希 , 尤杨 , 王磊
- Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
- Applicant Address: 中国北京市朝阳区酒仙桥路10号, Beijing 100015 CN
- Assignee: 京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司
- Current Assignee: 京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司
- Current Assignee Address: 中国北京市朝阳区酒仙桥路10号, Beijing 100015 CN
- Agency: 北京市中咨律师事务所
- Priority: CN201610318303.7 20160513
- Main IPC: H01L29/786
- IPC: H01L29/786 ; H01L27/12 ; H01L21/336
Abstract:
一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板以及显示装置及其制造方法。该薄膜晶体管包括：栅极绝缘层（1）；具有源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和所述漏极区域之间的沟道区域的有源层（2）；在所述源极区域上的第一掺杂层（3）；在所述漏极区域上的第二掺杂层（4）；设置在所述第一掺杂层（3）和所述第二掺杂层（4）之间的至少一个第三掺杂层（5），其中所述第一掺杂层（3）、所述第二掺杂层（4）和所述第三掺杂层（5）具有相同的导电类型，并且其中，所述第三掺杂层（5）位于所述沟道区域中且与所述栅极绝缘层（1）接触、不同时与所述第一掺杂层（3）和所述第二掺杂层（4）接触，或者所述第三掺杂层（5）位于所述沟道区域上且仅与所述第一掺杂层（3）或所述第二掺杂层（4）接触。
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IPC分类:
