Invention Application
WO2017195625A1 半導体装置および半導体装置の製造方法 审中-公开
半导体器件和制造半导体器件的方法

  • Patent Title: 半導体装置および半導体装置の製造方法
  • Patent Title (English): Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
  • Patent Title (中): 半导体器件和制造半导体器件的方法
  • Application No.: PCT/JP2017/016752
    Application Date: 2017-04-27
  • Publication No.: WO2017195625A1
    Publication Date: 2017-11-16
  • Inventor: 米田 裕菊池 正雄
  • Applicant: 三菱電機株式会社
  • Applicant Address: 〒1008310 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 Tokyo JP
  • Assignee: 三菱電機株式会社
  • Current Assignee: 三菱電機株式会社
  • Current Assignee Address: 〒1008310 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 Tokyo JP
  • Agency: 村上 加奈子
  • Priority: JP2016-094983 20160511
  • Main IPC: H01L23/48
  • IPC: H01L23/48 B23K1/00
半導体装置および半導体装置の製造方法
Abstract:
半導体装置(100)は、半導体素子(1)と、絶縁基板(2)に設けられ、半導体素子(1)が主面に接合された導体パターン(2b)と、導体パターン(2b)の主面に硬ろう材(14)で接合され、半導体素子(1)と電気的に接続された端子電極(3)と、を備え、導体パターン(2b)における硬ろう材(14)と接合された接合領域には、平面視で端子電極(3)が存在する第1の領域と、第1の領域の外側に位置し端子電極(3)と重ならない第2の領域とが含まれる。絶縁基板(2)上の導体パターン(2b)と端子電極(3)とを硬ろう材(14)で強固に接合することができる。
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