Invention Application
- Patent Title: 一种TFT基板的制备方法
- Patent Title (English): WO2018032579A1 - Method for preparing tft substrate
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Application No.: PCT/CN2016/100576Application Date: 2016-09-28
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Publication No.: WO2018032579A1Publication Date: 2018-02-22
- Inventor: 张晓星 , 周星宇 , 徐源竣
- Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
- Applicant Address: 中国广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号, Guangdong 518132 CN
- Assignee: 深圳市华星光电技术有限公司
- Current Assignee: 深圳市华星光电技术有限公司
- Current Assignee Address: 中国广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号, Guangdong 518132 CN
- Agency: 北京聿宏知识产权代理有限公司
- Priority: CN201610683532.9 20160817
- Main IPC: H01L21/77
- IPC: H01L21/77 ; H01L27/12
Abstract:
提供一种TFT基板的制备方法，TFT基板中含有驱动TFT区域和显示TFT区域，两个TFT区域采用不同的制造技术，以满足不同TFT的需求。TFT基板的制备方法主要包括制作第一非晶硅层（21），得到驱动TFT区域；制作第二非晶硅层（61），得到显示TFT区域；然后沉积钝化层（9）、平坦层（10），进一步处理完成TFT基板的制备。
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IPC分类:
