複数の半導体素子が焼結金属により基板上に接合される半導体装置において、焼結金属による接合部の接合信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。複数の半導体素子が焼結金属によりベース基板上に接合される半導体装置であって、前記ベース基板は、第１のベース基板と、前記第１のベース基板に隣接する第２のベース基板からなり、前記第１のベース基板上に第１の焼結金属層を介して接合された第１の半導体素子と、前記第２のベース基板上に第２の焼結金属層を介して接合された第２の半導体素子と、を備え、前記第１のベース基板と前記第２のベース基板は、各々の側面同士を接合することで一体化されていることを特徴とする。