一种晶圆级芯片的封装方法及封装体，涉及半导体技术领域。所述方法包括：将晶圆片与支撑载体（202）贴合；减小所述晶圆片的厚度；在所述晶圆片的背面蚀刻划片槽（3）；在所述晶圆片的背面以及所述划片槽（2）内粘附绝缘层（203）；在所述绝缘层（203）以及所述划片槽（2）的底部添加金属层（204）；去除所述划片槽（3）的底部的所述金属层（204）；在剩余的所述金属层（204）上以及所述划片槽（3）的底部粘附保护层（205）；对所述保护层（205）进行加工得到粘附孔（4），所述粘附孔（4）的底部为外露的所述金属层（204）；在所述粘附孔（4）的底部的所述金属层（204）上粘附锡球（206）。能够获得相对较薄的晶圆级芯片的封装体，增加了其机械结构强度，平衡了封装体积和封装强度的要求。