一种场效应晶体管及其制备方法

Invention Application

WO2018176537A1 一种场效应晶体管及其制备方法审中-公开

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Patent Title: 一种场效应晶体管及其制备方法
Patent Title (English): WO2018176537A1 - Field-effect transistor and manufacturing method therefor
Application No.: PCT/CN2017/081774

Application Date: 2017-04-25
Publication No.: WO2018176537A1

Publication Date: 2018-10-04
Inventor: 谢华飞
Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Applicant Address: 中国广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号, Guangdong 518132 CN
Assignee: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Current Assignee: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Current Assignee Address: 中国广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号, Guangdong 518132 CN
Agency: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
Priority: CN201710203713.1 20170330
Main IPC: H01L21/336
IPC: H01L21/336 ; H01L29/78 ; H01L29/12 ; H01L29/16

Abstract:

提供了一种场效应晶体管及其制备方法，该方法包括在基板上沉积第一绝缘层（S11）；在第一绝缘层上形成源极及漏极（S12）；形成覆盖源极及漏极的碳量子点有源层（S13）；在碳量子点有源层上依次形成第二绝缘层及栅极（S14）。通过上述方法，使用碳量子点为材料制备场效应晶体管中的有源层，丰富了场效应晶体管的制备材料，减少了现有技术中使用金属点膜层制备有源层时对环境的污染，同时降低了对金属元素的依赖性。

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Global Dossier Patent Scope Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334	....制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335	.....场效应晶体管
H01L21/336	......带有绝缘栅的