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WO2019025917A1 半導体装置、及び表示装置 审中-公开

半導体装置、及び表示装置
Abstract:
要約書 高集積化が可能な半導体装置を提供する。 半導体装置は、半導体層、第１の絶縁層、第２の絶縁層、第３の絶縁層、及び第１の導電層を有する。 第３の絶縁層は、 半導体層上に位置し、 さらに半導体層上に第１の開口を有し、 第１の導電層は、 半 導体層上に位置し、第１の絶縁層は、第１の導電層と、半導体層との間に位置し、第２の絶縁層は、 第１の開口の側面と、 半導体層と、 第１の絶縁層と接する位置に設けられる。 半導体層は、 第１の絶 縁層と重なる第１の部分と、 第１の部分を挟み、 且つ第２の絶縁層と重なる一対の第２の部分と、 第 １の部分及び一対の第２の部分を挟み、且つ第１の絶縁層及び第２の絶縁層のいずれにも重ならない 一対の第３の部分とを有する。 第１の部分は、 第１の開口の幅よりも小さい幅を有し、 また、 半導体 層が第２の部分より膜厚が薄い形状を有し、 第２の部分は、 半導体層が第３の部分より膜厚が薄い形 状を有する。
Abstract(English):

Provided is a semiconductor device which can be made highly integrated. The semiconductor device includes a semiconductor layer, a first insulation layer, a second insulation layer, a third insulation layer, and a first conductive layer. The third insulation layer is positioned above the semiconductor layer and includes an opening above the semiconductor layer. The first conductive layer is positioned above the semiconductor layer, the first insulation layer is positioned between the first conductive layer and the semiconductor layer, and the second insulation layer is provided in a position in contact with the semiconductor layer, the first insulation layer and a side surface of the first opening. The semiconductor layer includes: a first portion overlapping the first insulation layer; a pair of second portions sandwiching the first portion, and overlapping the second insulation layer; and a pair of third portions sandwiching the first portion and the pair of second portions, and not overlapping either of the first insulation layer or the second insulation layer. The first portion has a width smaller than the width of the first opening, and has a shape in which the film thickness of the semiconductor layer is thinner than in the second portions, and the second portions have a shape in which the film thickness of the semiconductor layer is thinner than in the third portions.

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