• Patent Title: 量子点发光二极管及其制备方法和复合材料
  • Patent Title (English): QUANTUM DOT LIGHT EMITTING DIODE, MANUFACTURING METHOD THEREFORE, AND COMPOSITE MATERIAL
  • Application No.: PCT/CN2018/125202
    Application Date: 2018-12-29
  • Publication No.: WO2019129256A1
    Publication Date: 2019-07-04
  • Inventor: 向超宇王雄志李乐张涛辛征航李雪
  • Applicant: TCL集团股份有限公司
  • Applicant Address: 中国广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区, Guangdong 516006 CN
  • Assignee: TCL集团股份有限公司
  • Current Assignee: TCL集团股份有限公司
  • Current Assignee Address: 中国广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区, Guangdong 516006 CN
  • Agency: 深圳中一专利商标事务所
  • Priority: CN201711468582.6 20171229; CN201711468692.2 20171229; CN201711468616.1 20171229; CN201711468934.8 20171229
  • Main IPC: H01L51/50
  • IPC: H01L51/50
量子点发光二极管及其制备方法和复合材料
Abstract:
一种量子点发光二极管,包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层,所述阳极和所述阴极之间设置有载流子功能层,所述载流子功能层含有磁性材料。因磁性材料可以调节载流子迁移率(如空穴迁移率或电子迁移率),从而改善载流子的注入平衡,因此,将该载流子功能层设在量子点发光二极管器中可以有效提高器件的发光效率和稳定性。
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