Invention Application
- Patent Title: 수직 구조 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법
- Patent Title (English): VERTICAL-STRUCTURE FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
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Application No.: PCT/KR2021/004563Application Date: 2021-04-12
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Publication No.: WO2021210865A1Publication Date: 2021-10-21
- Inventor: 홍문표 , 유민기
- Applicant: 고려대학교 세종산학협력단
- Applicant Address: 30019 세종시 조치원읍 세종로 2511, Sejong
- Assignee: 고려대학교 세종산학협력단
- Current Assignee: 고려대학교 세종산학협력단
- Current Assignee Address: 30019 세종시 조치원읍 세종로 2511, Sejong
- Agency: 박상열
- Priority: KR10-2020-0044878 2020-04-13
- Main IPC: H01L29/66
- IPC: H01L29/66 ; H01L29/78 ; H01L29/417 ; H01L21/8234 ; H01L29/423 ; H01L29/10 ; H01L29/08
Abstract:
본 발명의 일 실시 예에 따른 수직 구조 전계효과 트랜지스터는, 기판 상에 형성되며 면 방향으로 연장하는 수평면과 높이 방향으로 연장하는 수직면을 가지는, 게이트 전극; 상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 형성되며, 상기 높이 방향으로 채널이 형성되는 수직 채널; 상기 수직 채널의 일 단에 접촉하도록 형성되는 소스 전극; 및 상기 수직 채널의 타 단에 접촉하도록 형성되며, 상기 소스 전극와 서로 다른 높이 레벨(level)에 형성되는 드레인 전극;을 포함하되, 상기 게이트 전극의 수직 면에서 상기 수직 채널로 형성되는 전계에 의하여, 상기 수직 채널의 채널 온오프가 제어되며, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 적어도 하나의 전극은, 상기 게이트 전극과 상기 게이트 전극의 높이 방향으로 비-중첩(non-overlap) 될 수 있다.
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IPC分类:
