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公开(公告)号：CN117957184A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202280062885.0
申请日：2022-08-02
申请人： 硅量子计算私人有限公司
摘要： 公开了量子处理元件和在量子处理元件上执行逻辑操作的方法。量子处理元件包括：半导体、与半导体形成界面的介电材料、嵌入半导体中的多个掺杂点，每个掺杂点包括一个或多个掺杂原子和一个或多个被限制在掺杂点内的电子或空穴，其中每个掺杂点的未成对电子或空穴的自旋形成至少一个量子比特。该方法包括以下步骤：控制一对掺杂点中的该一个或多个掺杂原子的核自旋的定向，和/或控制该对掺杂点中的一个或多个掺杂原子的核自旋与未成对电子或空穴的电子或空穴自旋之间的超精细相互作用，以便在对应的一对量子比特上执行量子逻辑操作。
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公开(公告)号：CN117413283A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202280032973.6
申请日：2022-03-11
申请人： 硅量子计算私人有限公司
IPC分类号： G06N10/40
摘要： 公开了量子位、量子处理元件和一个或多个大规模量子处理系统。所述量子位包括：嵌入在该半导体衬底中的第一量子点，该第一量子点包括第一供体原子簇；以及嵌入在该半导体衬底中的第二量子点，该第二量子点包括第二供体原子簇。第一和第二量子点共享单个电子，并且利用单个电子与第一和第二供体原子簇中存在的一个或多个核自旋之间的超精细相互作用来对量子位进行电控制。
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公开(公告)号：CN116829493A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202180074565.2
申请日：2021-11-04
申请人： 硅量子计算私人有限公司
IPC分类号： B82Y10/00
摘要： 本公开的方面针对量子处理系统，其包括位于半导体衬底中的多个施主原子量子位。该系统还包括被配置为控制施主原子量子位的多个控制栅极。该系统还包括被制作在半导体衬底上/中的SLQD电荷传感器。SLQD电荷传感器被配置为感测位于SLQD电荷传感器的感测范围内的两个或更多个施主原子量子位的自旋状态。
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公开(公告)号：CN118489069A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202280071411.2
申请日：2022-10-24
申请人： 硅量子计算私人有限公司
摘要： 本公开的一方面涉及用于模拟量子系统(AQS)的制造方法。本公开的其他方面涉及用于使用AQS来解决计算问题的方法。用于制造AQS的方法包括基于计算问题产生哈密顿函数，该计算问题可为优化问题或模拟问题。此外，该方法包括基于一或多种已识别的测量方法及该哈密顿函数来识别AQS制造参数。最后，可基于已识别的制造参数来制造AQS。AQS尤其可用于模拟电池或界面。
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公开(公告)号：CN117425900A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202280029030.8
申请日：2022-03-11
申请人： 硅量子计算私人有限公司
摘要： 所公开的是一种量子处理系统及操作该量子处理系统的方法。该系统包括第一量子比特，该第一量子比特包含与嵌入半导体衬底且与半导体表面相距一段距离的第一供体簇对结合的第一未配对电子，第一供体簇对中的每个供体簇包括至少一个供体原子。该系统还包括第二量子比特，该第二量子比特包括与嵌入半导体衬底中且与半导体表面相距一段距离的第二供体簇对结合的第二未配对电子，第二供体簇对中的每个供体簇包括至少一个供体原子。此外，微波谐振器位于第一量子比特和第二量子比特之间，其中微波谐振器的第一端耦合到第一量子比特，微波谐振器的第二端耦合到第二量子比特。微波谐振器的光子耦合第一量子比特和第二量子比特。
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公开(公告)号：CN114651395A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202080075961.2
申请日：2020-09-09
申请人： 硅量子计算私人有限公司
摘要： 本公开内容涉及一种动态电感参量放大器，其包括：输入端口，其被布置为接收泵浦音调、DC偏置和输入信号；输出端口，其被布置为提供所述输入信号的放大版本；可调谐步进阻抗组件，其被布置为对预定频带进行衰减和/或滤波；以及高动态电感线。所述可调谐步进阻抗组件被调谐在允许所述放大器以预定频率进行谐振的频率，并且泵浦音调具有的频率高于所述输入信号，并且所述DC偏置信号被发送到所述高动态电感线。
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