公开(公告)号：CN117779176A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311803232.6

申请日：2023-12-25

申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 ,  万华化学集团股份有限公司

发明人： 谢宜宁 ,  姜胜林 ,  修梓翔 ,  胡碧波

IPC分类号： C30B15/20

摘要： 本申请公开了一种单晶炉液口距的控制方法、存储介质和电子设备，所述方法包括获取当前溶液质量、当前熔液密度和坩埚尺寸数据，并根据获得的当前熔液质量、当前熔液密度和坩埚尺寸数据确定熔液深度，再根据熔液深度确定重量液口距，最后根据重量液口距对坩埚升降速度进行控制，实现了对单晶炉液口距的测量和控制。只要具备重量传感器及标准坩埚尺寸的单晶炉都可使用本技术方案测量液口距，适用范围广，检测成本低，准确性与稳定性高，即使是坩埚使用后变形，本技术方案中的公式算法依旧可以准确得出结果；并且根据液口距对坩埚升降速度进行控制，提高了单晶炉长晶的效率，降低了单晶炉工作时候的人工成本。

公开(公告)号：CN117532756A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311529027.5

申请日：2023-11-16

申请人： 万华化学集团电子材料有限公司

发明人： 修梓翔 ,  李晓辉 ,  王鹏

IPC分类号： B28D5/00 ,  B28D5/04 ,  B28D7/04 ,  B28D7/00

摘要： 本发明提供了一种单晶硅棒定向截断方法、装置、电子设备和存储介质，该方法包括：截断单晶硅棒得到单晶硅棒的光滑表面；获取用于支撑单晶硅棒的支撑模块的位置信息，位置信息包括支撑模块距离光滑表面的位移和支撑模块的倾角；获取单晶硅棒的实时晶向偏差角度，实时晶向偏差角度包括第一方向实时晶向偏差角度和第二方向实时晶向偏差角度；根据实时晶向偏差角度、预设的晶向偏差角度阈值和位置信息调整支撑模块的位置，使单晶硅棒的晶向偏差角度符合晶向偏差角度阈值；截断单晶硅棒。本发明可以定向截断单晶硅棒，避免切片过程中单晶硅棒两端产生异形片，减少硅料损失，提高成片率、良品率和加工质量，同时降低了切片线网的断线率。

公开(公告)号：CN115781459A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211624749.4

申请日：2022-12-16

申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 ,  万华化学集团股份有限公司

发明人： 修梓翔 ,  刘群 ,  代冰 ,  胡碧波

IPC分类号： B24B19/02 ,  B24B19/22 ,  B24B1/00 ,  B24B49/00

摘要： 本申请提供了一种晶棒滚圆开槽方法及晶棒滚圆开槽装置。晶棒滚圆开槽方法包括如下步骤：装夹晶棒、采集数据、绘制二维的等值线图，磨削晶棒和加工。晶棒滚圆开槽装置包括第一夹头单元和第二夹头单元，数据采集机构，数据绘制机构，磨削部和开槽部。本申请提供的晶棒滚圆开槽方法及晶棒滚圆开槽装置，对晶棒整体滚圆磨削后开槽，提高了加工效率，节省了时间，降低了人工成本，增加了产品的良品率。