公开(公告)号：CN102142463A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201010617914.4

申请日：2002-11-27

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李基隆

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L21/77 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管(TFT)的多晶硅层，包括：有源沟道区，其中，有源沟道区的长度为晶粒尺寸的整数倍。本发明还提供一种具有多个TFT的显示器，包括：具有多晶硅层的TFT，且该多晶硅层带有有源沟道区，该有源沟道区具有与其相关的至少一个主晶界，使得遍及显示器中，带相同数量有源沟道区的主晶界相比于显示器的其它多个TFT占据支配地位；其中，TFT通过调整晶粒尺寸、晶界倾角和有源沟道区尺寸等参数来制造。

公开(公告)号：CN101494235B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200910126229.9

申请日：2002-11-27

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李基隆

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  G09G3/36 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管(TFT)的多晶硅层，包括：有源沟道区，其中，有源沟道区的长度为晶粒尺寸的整数倍。本发明还提供一种具有多个TFT的显示器，包括：具有多晶硅层的TFT，且该多晶硅层带有有源沟道区，该有源沟道区具有与其相关的至少一个主晶界，使得遍及显示器中，带相同数量有源沟道区的主晶界相比于显示器的其它多个TFT占据支配地位；其中，TFT通过调整晶粒尺寸、晶界倾角和有源沟道区尺寸等参数来制造。

公开(公告)号：CN101494235A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200910126229.9

申请日：2002-11-27

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李基隆

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  G09G3/36 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管(TFT)的多晶硅层，包括：有源沟道区，其中，有源沟道区的长度为晶粒尺寸的整数倍。本发明还提供一种具有多个TFT的显示器，包括：具有多晶硅层的TFT，且该多晶硅层带有有源沟道区，该有源沟道区具有与其相关的至少一个主晶界，使得遍及显示器中，带相同数量有源沟道区的主晶界相比于显示器的其它多个TFT占据支配地位；其中，TFT通过调整晶粒尺寸、晶界倾角和有源沟道区尺寸等参数来制造。

公开(公告)号：CN100511710C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN02152432.7

申请日：2002-11-27

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李基隆

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  G02F1/136 ,  G09G3/36

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)的多晶硅层及其显示器。该多晶硅层包括一有源沟道区，其中，最大数量的主晶界存在于有源沟道区上的几率P不为0.5，该几率由以下等式获得：P＝(D-(Nmax-1)·Gs)/(Gs)，其中，D＝L·cosθ+W·sinθ，L为有源沟道区的沟道长度，W为有源沟道区的宽度，Nmax为有源沟道区上存在的主晶界的最大数目，Gs为晶粒尺寸，而θ为主晶界的倾角。