公开(公告)号：CN110272282A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910570775.5

申请日：2019-06-28

申请人： 上海大学

发明人： 孙泽汉 ,  施鹰 ,  谢建军 ,  章蕾 ,  雷芳 ,  范灵聪 ,  丁毛毛

IPC分类号： C04B35/581 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64

摘要： 本发明公开了一种透明氮氧化铝(AlON)陶瓷的低温制备方法采用全方位行星式球磨机过对本发明制作的AlON粉体进行破碎改性，在破碎后的粉体中加入单一的MgO烧结助剂，该粉末在600～700℃下煅烧除碳后，获得具有粒径小、烧结活性高等特点的AlON粉体。随后，经过干压、冷等静压压片成型，获得致密度较高的坯体，该坯体可在低于1600～1800℃的温度下无压烧结获得80％以上光学透过率的AlON透明陶瓷。本工艺仅加入单一烧结助剂，操作简单，制备效率高，烧结温度低，成本低，易于工业化推广。

公开(公告)号：CN110272282B

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN201910570775.5

申请日：2019-06-28

申请人： 上海大学

发明人： 孙泽汉 ,  施鹰 ,  谢建军 ,  章蕾 ,  雷芳 ,  范灵聪 ,  丁毛毛

IPC分类号： C04B35/581 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64

摘要： 本发明公开了一种透明氮氧化铝(AlON)陶瓷的低温制备方法采用全方位行星式球磨机过对本发明制作的AlON粉体进行破碎改性，在破碎后的粉体中加入单一的MgO烧结助剂，该粉末在600～700℃下煅烧除碳后，获得具有粒径小、烧结活性高等特点的AlON粉体。随后，经过干压、冷等静压压片成型，获得致密度较高的坯体，该坯体可在低于1600～1800℃的温度下无压烧结获得80％以上光学透过率的AlON透明陶瓷。本工艺仅加入单一烧结助剂，操作简单，制备效率高，烧结温度低，成本低，易于工业化推广。