公开(公告)号：CN114284498B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202111429146.4

申请日：2021-11-29

Applicant: 中南大学

Inventor： 陈康华 ,  祝昌军 ,  何斯杰 ,  邓融峰 ,  彭迪

IPC: H01M4/62 ,  H01M4/38 ,  H01M4/134 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0568 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于锂离子电池材料技术领域，具体公开了一种原生包覆的纳米硅负极材料，包括纳米硅内核，以及在其表面原位生成的包覆层，所述的包覆层包括SiOx和硅醇。此外，还提供了一种和其适配的Na+、K+、Li+三元电解液。本发明中，所述的纳米硅负极适配含Na+、K+、Li+电解液，通过纳米化和表层SiOx保护层能抑制内部硅的碎裂；通过充放电初期在负极表面沉积形成的NaK液态合金可提高硅负极的导电率、抑制锂枝晶的形成和生长，形成锂离子快速传输通道，可有效提高硅负极材料的首圈库伦效率和循环稳定性。本发明具有成本低廉，工艺简单，易于工业化生产等优点。

公开(公告)号：CN114284498A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111429146.4

申请日：2021-11-29

Applicant: 中南大学

Inventor： 陈康华 ,  祝昌军 ,  何斯杰 ,  邓融峰 ,  彭迪

IPC: H01M4/62 ,  H01M4/38 ,  H01M4/134 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0568 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于锂离子电池材料技术领域，具体公开了一种原生包覆的纳米硅负极材料，包括纳米硅内核，以及在其表面原位生成的包覆层，所述的包覆层包括SiOx和硅醇。此外，还提供了一种和其适配的Na+、K+、Li+三元电解液。本发明中，所述的纳米硅负极适配含Na+、K+、Li+电解液，通过纳米化和表层SiOx保护层能抑制内部硅的碎裂；通过充放电初期在负极表面沉积形成的NaK液态合金可提高硅负极的导电率、抑制锂枝晶的形成和生长，形成锂离子快速传输通道，可有效提高硅负极材料的首圈库伦效率和循环稳定性。本发明具有成本低廉，工艺简单，易于工业化生产等优点。