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公开(公告)号：CN118448966A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410537940.8
申请日：2024-04-30
申请人： 中国科学院理化技术研究所
摘要： 本发明公开一种复合板条激光装置和激光产生的方法，该装置包括复合板条，所述复合板条包括沿泵浦光入射方向交替设置的至少一层板条增益层和至少一层板条扩展层，入射的泵浦光经所述复合板条中多次反射，在所述板条增益层中产生激光增益，从所述复合板条端面输出激光束。本发明扩展了复合板条的厚度尺寸与端面口径，突破了现有激光增益介质生长工艺的限制，降低了复合板条端面的峰值功率密度，防止端面损伤；在扩展板条厚度尺寸的同时，利用板条扩展层的高热导率特性，提升了板条整体的导热能力，降低了板条温度，实现高峰值功率、高光束质量激光输出。
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公开(公告)号：CN113717697A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110594034.8
申请日：2021-05-28
申请人： 中国科学院理化技术研究所
摘要： 本发明公开了一种载冷剂及制备方法、冷却结构、半导体激光巴条、热沉系统，其低温运转半导体激光巴条的所述载冷剂包括按体积计的下述组分：氟化物100份；醇1‑50份。该载冷剂具有无腐蚀性、低毒性、安全稳定、导热性优良、液态温域宽等特点，适用于低温运行的半导体激光巴条微通道热沉冷却结构，有效调节半导体激光巴条工作温度，提高半导体激光巴条电光效率。该载冷剂可以使其中的杂质水份凝固点降低至工作温度以下，防止产生冰颗粒堵塞热沉微通道。该载冷剂有一定的电导率，可在工作过程中防止静电荷的累积，避免产生静电打火问题。
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公开(公告)号：CN118659197A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410686673.0
申请日：2024-05-30
申请人： 中国科学院理化技术研究所
IPC分类号： H01S3/0941 , H01S3/094 , H01S3/042
摘要： 本发明公开一种基于黑体吸收的多程均匀泵浦激光装置，包括沿光路设置的泵浦光源、波导和固体激光介质，以及曲面反射器件，该曲面反射器件与所述泵浦光源关于所述固体激光介质同侧设置且与所述固体激光介质形成黑体结构，用于将经所述固体激光介质吸收后出射的泵浦光反射回所述固体激光介质，以使所述固体激光介质对泵浦光进行多程吸收，生成并侧向输出激光束。本发明利用曲面反射器件与固体激光介质构成黑体结构对泵浦光进行多程吸收，增加固体激光介质的吸收长度，可实现均匀泵浦，减小热梯度，减小激光阈值，提高激光效率。
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公开(公告)号：CN118610891A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410735787.X
申请日：2024-06-07
申请人： 中国科学院理化技术研究所
IPC分类号： H01S5/125 , H01S5/024 , H01S5/02253
摘要： 本发明公开一种垂直腔面发射半导体芯片和垂直腔面半导体相干光产生装置。所述半导体芯片包括垂直腔面发射半导体增益介质层、位于所述半导体增益介质层一侧的分布式布拉格反射镜以及位于所述半导体增益介质层远离所述反射镜一侧的金刚石盖层，其中，所述半导体增益介质层包括用于阻断激光横向增益的间隙和由所述间隙分隔的多个增益区域。本发明通过刻蚀形成的间隙实现多个垂直腔面发射半导体增益介质区域的拼接，扩展了垂直外腔发射半导体激光器增益介质的增益区域的面积，增加了垂直腔面发射半导体芯片输出激光的功率，保证了大口径下各个垂直腔面发射半导体增益介质产生输出光束的空间相干性，实现输出高功率、高光束质量的相干光。
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公开(公告)号：CN113717697B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202110594034.8
申请日：2021-05-28
申请人： 中国科学院理化技术研究所
摘要： 本发明公开了一种载冷剂及制备方法、冷却结构、半导体激光巴条、热沉系统，其低温运转半导体激光巴条的所述载冷剂包括按体积计的下述组分：氟化物100份；醇1‑50份。该载冷剂具有无腐蚀性、低毒性、安全稳定、导热性优良、液态温域宽等特点，适用于低温运行的半导体激光巴条微通道热沉冷却结构，有效调节半导体激光巴条工作温度，提高半导体激光巴条电光效率。该载冷剂可以使其中的杂质水份凝固点降低至工作温度以下，防止产生冰颗粒堵塞热沉微通道。该载冷剂有一定的电导率，可在工作过程中防止静电荷的累积，避免产生静电打火问题。
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