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公开(公告)号：CN117801476A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311791756.8
申请日：2023-12-25
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明公开了一种防氚通风气衣用改性聚酯膜及其制备方法，属于功能防护服的技术领域。所述防氚通风气衣用改性聚酯树脂按重量份计，包括以下成分：TPEE树脂：50‑70份，PVDF树脂：10‑20份，EBA树脂：20‑30份，抗氧剂：1‑2份，敏化剂：1‑2份。所述防氚通风气衣用改性聚酯树脂中的三种树脂具有协同增效作用，将其制备成防氚通风气衣用改性聚酯膜，能显著提高防氚通风气衣用改性聚酯膜的防氚渗透率、耐磨性、低温热封性，同时可热封后进行低剂量辐射改性增强，提高防氚通风气衣的力学性能以及热封强度。
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公开(公告)号：CN115260501A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210954804.X
申请日：2022-08-10
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
IPC分类号： C08G77/398 , C08L83/07 , C08L83/08 , C08K7/26 , C08K5/14
摘要： 本发明属于阻尼橡胶技术领域，具体提供了一种基于硼封端硅油的高温损耗型硅橡胶及其制备方法，该高温损耗型硅橡胶由混炼硅橡胶经硫化得到，所述混炼硅橡胶包括甲基乙烯基硅橡胶和特定制备方法得到的硼封端硅油产物。由本发明实施例上述方法制得的高温损耗型硅橡胶，仍具有硅橡胶耐高低温、耐候性、绝缘性等特点，其力学性能较好，在高温条件(如81.5～250℃)下损耗因子大于0.3，其阻尼性能优异，这是目前并没有的阻尼橡胶品种。所述的高温损耗型硅橡胶具有实际使用价值，可应用在高温条件下需要隔音、减震的场合，从而弥补现有损耗类橡胶的不足。
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公开(公告)号：CN112793269B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202011605983.3
申请日：2020-12-30
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
IPC分类号： B32B27/32 , B32B27/30 , B32B27/40 , B32B27/28 , B32B27/20 , B32B27/08 , B32B27/06 , B32B33/00 , B32B37/00 , B32B37/06 , B32B37/10 , C08L23/06 , C08K9/04 , C08K9/02 , C08K3/04 , C08J5/18 , C08J7/06 , C08J7/04 , C08L23/12 , C08L27/06 , C08K3/14 , C08L27/16 , C08K3/08 , C08L75/04 , C08L71/12 , C09D1/00 , C09D5/33 , C09D129/04
摘要： 本发明提供了一种电磁屏蔽复合材料，包括吸收层和复合在吸收层上的反射层；所述吸收层包括改性树脂层；所述反射层包括金属纳米线膜层。本发明采用特定的层材料，再结合吸收层‑反射层的层叠结构，得到了具有特定结构和组成的电磁屏蔽复合材料。本发明利用吸收层‑反射层的层叠结构制备的多层结构电磁屏蔽复合材料可以兼具高电磁屏蔽效能、低电磁波反射以及优异的力学性能等诸多优点，可替代传统的电磁屏蔽复合材料应用于新兴的5G通讯领域、航空航天领域。
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公开(公告)号：CN112743945B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202011605981.4
申请日：2020-12-30
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
IPC分类号： B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/28 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/40 , H05K9/00 , C08L75/04 , C08L23/06 , C08L23/12 , C08L27/16 , C08L71/12 , C08K9/02 , C08K9/04 , C08K3/04 , C08K3/08 , C08J7/06
摘要： 本发明提供了一种电磁屏蔽复合材料，包括吸收层和复合在吸收层上的反射层；所述吸收层包括双连续结构改性树脂层；所述反射层包括金属纳米线膜层。本发明采用特定的层材料，且吸收层为特殊的双连续结构，再结合吸收层‑反射层的层叠结构，得到了具有特定结构和组成的电磁屏蔽复合材料。本发明兼具高电磁屏蔽效能、低电磁波反射以及优异的力学性能等诸多优点，吸收层特殊的双连续结构，该结构可以促进吸收层内部的填料相互搭接形成填料网络，尽而提高吸收层的屏蔽效率，进一步降低复合材料对电磁波的反射。本发明可替代传统的电磁屏蔽复合材料应用于新兴的5G通讯、航空航天领域。
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公开(公告)号：CN112848586A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011604311.0
申请日：2020-12-30
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
IPC分类号： B32B27/32 , B32B27/20 , B32B27/06 , B32B27/30 , B32B27/40 , B32B27/28 , B32B33/00 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B37/00 , C08L23/06 , C08L23/12 , C08L27/06 , C08L27/16 , C08L75/04 , C08L71/12 , C08K9/02 , C08K3/04 , C08K7/28 , C08K7/00 , C08K3/14 , C08K3/08 , C08J5/18 , C08J7/12 , C08J7/06 , H05K9/00
摘要： 本发明提供了一种电磁屏蔽复合材料，包括吸收层和复合在吸收层上的反射层；所述吸收层包括改性树脂层；所述改性树脂层具有隔离结构；所述反射层包括金属纳米线膜层。本发明采用特定的层材料，再结合吸收层‑反射层的层叠结构，且吸收层为特殊的隔离结构，得到了具有特定结构和组成的电磁屏蔽复合材料。本发明可以兼具高电磁屏蔽效能、低电磁波反射以及优异的力学性能等诸多优点，且吸收层为特殊的隔离结构，该结构可以促进吸收层内部的填料相互搭接形成填料网络，尽而提高吸收层的屏蔽效率，进一步降低复合材料对电磁波的反射。该电磁屏蔽复合材料可替代传统的电磁屏蔽复合材料应用于新兴的5G通讯领域、航空航天领域。
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公开(公告)号：CN112743945A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011605981.4
申请日：2020-12-30
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
IPC分类号： B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/28 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/40 , H05K9/00 , C08L75/04 , C08L23/06 , C08L23/12 , C08L27/16 , C08L71/12 , C08K9/02 , C08K9/04 , C08K3/04 , C08K3/08 , C08J7/06
摘要： 本发明提供了一种电磁屏蔽复合材料，包括吸收层和复合在吸收层上的反射层；所述吸收层包括双连续结构改性树脂层；所述反射层包括金属纳米线膜层。本发明采用特定的层材料，且吸收层为特殊的双连续结构，再结合吸收层‑反射层的层叠结构，得到了具有特定结构和组成的电磁屏蔽复合材料。本发明兼具高电磁屏蔽效能、低电磁波反射以及优异的力学性能等诸多优点，吸收层特殊的双连续结构，该结构可以促进吸收层内部的填料相互搭接形成填料网络，尽而提高吸收层的屏蔽效率，进一步降低复合材料对电磁波的反射。本发明可替代传统的电磁屏蔽复合材料应用于新兴的5G通讯、航空航天领域。
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公开(公告)号：CN112062703A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010825946.7
申请日：2020-08-17
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
IPC分类号： C07D207/452 , C07D403/14 , C08K5/3415 , C08L27/16 , C08J5/18
摘要： 本发明提供了一种用于含氟聚合物中式(I)结构的辐照敏化交联剂，其中，3≤n≤4，R为C6～C30多支化基团或C6～C30部分被苯环、N、S、卤素取代的的多支化基团。本发明提供的上述结构的交联敏化剂，常温下是固体易于和树脂颗粒加工混合，且在高温熔融混合中无挥发性有毒烟雾，并且在辐照过程中可以实现在低辐照剂量下含氟聚合物体系的有效交联，且辐照后交联程度高，产品稳定性非常好。
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公开(公告)号：CN111269510A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010243507.5
申请日：2020-03-31
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
IPC分类号： C08L27/18 , C08L27/16 , C08L51/10 , C08L23/08 , C08F292/00 , C08F220/24
摘要： 本发明提供一种相容型乙烯-四氟乙烯共聚物纳米复合材料及其制备方法，方法包括：将蒙脱土纳米粒子(MMT)采用有机季鏻盐预处理，得到OMMT；采用硅烷偶联剂对所述OMMT表面进行活化修饰，得到活化的OMMT；将含氟单体接枝到所述活化的OMMT上，得到氟化改性OMMT；将所述氟化改性OMMT和乙烯-四氟乙烯共聚物、聚偏氟乙烯混合，挤出造粒，模压成型，得到相容型乙烯-四氟乙烯共聚物纳米复合材料；所述氟化改性OMMT和乙烯-四氟乙烯共聚物、聚偏氟乙烯的质量比为0.1～4：88～92：8～12。该纳米复合材料具有较好的力学性能；复合体系中具有稳定的均相结构。
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公开(公告)号：CN104589774B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410853742.9
申请日：2014-12-31
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明提供了一种筒形约束阻尼材料的制备方法，包括：将乐泰胶水涂覆于筒形金属板内壁并干燥；然后在干燥后的乐泰胶水表面铺设橡胶生胶，所述橡胶为丁基橡胶或氯丁基橡胶；再将筒形约束层贴合于橡胶生胶表面；最后将所述橡胶生胶进行硫化和压制处理，得到筒形约束阻尼材料。本发明直接将橡胶生胶铺设于阻尼材料筒形外壁内侧，对其进行硫化和压制处理，使生胶在阻尼材料内壁完成硫化过程，成为阻尼层，避免了采用硫化后的阻尼层材料进行拼接和粘贴，解决了在筒形弯曲表面一次性铺设阻尼层以及约束层的问题，所制备的材料具有高度的完整性和牢固性，阻尼因子达到0.7以上。
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公开(公告)号：CN101717644B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN200910259810.8
申请日：2009-12-15
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
IPC分类号： C09K11/88
摘要： 本发明提供一种二氧化硅包覆量子点的制备方法，包括：将CdSe/CdS核-壳结构量子点分散到环己烷中得到第一混合液；向所述第一混合液中加入正己烷、表面活性剂和正硅酸乙酯得到第二混合液；向所述第二混合液中加入氨水进行反应；将反应产物沉淀并分离得到二氧化硅包覆的量子点。本发明先将CdSe/CdS量子点分散到环己烷中得到第一混合液，然后以正己烷作为分散剂加入到所述第一混合液中，由于正己烷与环己烷极性相近，从而使量子点可以很好地分散在正己烷中，当正硅酸乙酯水解形成SiO2后能够最大限度的包裹在量子点上，得到粒径均匀的SiO2包覆的CdSe/CdS核-壳结构的量子点。与现有技术相比，本发明实验步骤少，操作简单且易控制。
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