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公开(公告)号：CN101378132A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810210151.4
申请日：2008-08-29
Applicant: 丹麦技术大学
Inventor： 拉森·霍尔沃·皮特 , 亨德利克森·范戈·皮特 , 林德罗斯·索伦 , 莫根森·莫根斯
CPC classification number: H01M4/8857 , C23C28/042 , C23C28/044 , C23C28/048 , H01M4/861 , H01M4/8636 , H01M4/8642 , H01M4/8657 , H01M4/8835 , H01M8/1213 , H01M8/124 , H01M2004/8684 , H01M2008/1293 , H01M2300/0094 , Y02P70/56 , Y10T156/1089
Abstract: 本发明涉及用于电化学和电子装置的水平梯度结构。本发明提供一种梯度多层结构，其包含支撑层(1)和形成梯度层的至少10层(2，3)，其中所述至少10层(2，3)的每一层至少部分地与所述支撑层(1)接触，其中所述至少10层(2，3)在选自层组成、孔隙率和电导率的至少一种性质上彼此不同，且其中将所述至少10层(2，3)排列以使层组成、孔隙率和/或电导率水平于所述支撑层(1)在总的层区域内形成梯度。本发明进一步提供一种梯度多层结构，其包含支撑层(1)和形成梯度层的至少两层(2，3)，其中所述至少两层(2，3)的每一层至少部分地与所述支撑层(1)接触，其中所述至少两层(2，3)在选自层组成、孔隙率和电导率的至少一种性质上彼此不同，其中将所述至少两层(2，3)排列以使层组成、孔隙率和/或电导率水平于所述支撑层(1)在总的层区域内形成梯度，且其中包含所述至少两层(2，3)的梯度层的总厚度为大于5μm。
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公开(公告)号：CN101378132B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200810210151.4
申请日：2008-08-29
Applicant: 丹麦技术大学
Inventor： 拉森·霍尔沃·皮特 , 亨德利克森·范戈·皮特 , 林德罗斯·索伦 , 莫根森·莫根斯
CPC classification number: H01M4/8857 , C23C28/042 , C23C28/044 , C23C28/048 , H01M4/861 , H01M4/8636 , H01M4/8642 , H01M4/8657 , H01M4/8835 , H01M8/1213 , H01M8/124 , H01M2004/8684 , H01M2008/1293 , H01M2300/0094 , Y02P70/56 , Y10T156/1089
Abstract: 本发明涉及用于电化学和电子装置的水平梯度结构。本发明提供一种梯度多层结构，其包含支撑层(1)和形成梯度层的至少10层(2，3)，其中所述至少10层(2，3)的每一层至少部分地与所述支撑层(1)接触，其中所述至少10层(2，3)在选自层组成、孔隙率和电导率的至少一种性质上彼此不同，且其中将所述至少10层(2，3)排列以使层组成、孔隙率和/或电导率水平于所述支撑层(1)在总的层区域内形成梯度。本发明进一步提供一种梯度多层结构，其包含支撑层(1)和形成梯度层的至少两层(2，3)，其中所述至少两层(2，3)的每一层至少部分地与所述支撑层(1)接触，其中所述至少两层(2，3)在选自层组成、孔隙率和电导率的至少一种性质上彼此不同，其中将所述至少两层(2，3)排列以使层组成、孔隙率和/或电导率水平于所述支撑层(1)在总的层区域内形成梯度，且其中包含所述至少两层(2，3)的梯度层的总厚度为大于5μm。
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