制备单晶双层石墨烯的方法

    公开(公告)号:CN105483824A

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201610016623.7

    申请日:2016-01-11

    IPC分类号: C30B29/02 C30B25/00

    CPC分类号: C30B29/02 C30B25/00

    摘要: 本发明公开了一种制备单晶双层石墨烯的方法,包括以下步骤:a)将铜催化剂放入反应器中,并向反应器中通入非氧化性气体,使非氧化性气体充满反应器,所述铜催化剂为单晶铜或多晶铜或铜薄膜;b)将铜催化剂加热到目标温度,然后保持温度恒定30-120分钟,所述目标温度的温度范围为:1000℃~1070℃;c)然后对铜催化剂进行降温使其达到900℃~500℃或保持温度恒定,在上述降温或恒温过程中,将携带有碳源的非氧化性气体通入反应器中,即可在铜催化剂表面得到单晶双层石墨烯。本发明利用等温或非等温常压化学气相沉积法在铜催化剂上制备大尺寸单晶双层石墨烯,本方法操作方便,简单易行,可用于高端电子器件和集成电路。