公开(公告)号：CN105523760B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201510849715.9

申请日：2015-11-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 侯育冬 ,  朝鲁门 ,  朱满康 ,  郑木鹏

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种稳定反铁电性的低介电损耗的铌酸钠陶瓷材料的制备方法，属于介电陶瓷材料领域。通过该方法实现纯铌酸钠陶瓷中反铁电相的稳定，在100kV/cm的高电场下也没有出现电场诱导的铁电相，同时材料具有低介电损耗(

公开(公告)号：CN105174944A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510599592.8

申请日：2015-09-18

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 侯育冬 ,  章进 ,  朝鲁门 ,  郑木鹏 ,  朱满康 ,  严辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 一种超宽温高稳定无铅电容器陶瓷介电材料及其制备方法，属于电子元器件材料技术领域。根据表达式(1-x)Bi0.5Na0.5TiO3--xNaNbO3，0.25％≤x≤0.35，按照表达式中金属原子的化学计量比称取Bi2O3、Na2CO3、TiO2和Nb2O5作为基质原料。将预烧后制得的粉体研碎，再球磨12小时混合均匀，烘干后研磨成粉状，以聚乙烯醇水溶液作粘结剂造粒，然后过80目筛压制成型，排出胶体，再在高温炉空气气氛中。温度于1100～1200℃烧结，升温速率为3℃/min；保温2小时，随炉自然冷却至室温，即制得超宽温高稳定无铅电容器陶瓷介电材料。本发明操作方法简单，制备周期短，能耗和成本低，污染少。

公开(公告)号：CN105523760A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201510849715.9

申请日：2015-11-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 侯育冬 ,  朝鲁门 ,  朱满康 ,  郑木鹏

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种稳定反铁电性的低介电损耗的铌酸钠陶瓷材料的制备方法，属于介电陶瓷材料领域。通过该方法实现纯铌酸钠陶瓷中反铁电相的稳定，在100kV/cm的高电场下也没有出现电场诱导的铁电相，同时材料具有低介电损耗(