公开(公告)号：CN114264948B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202111554732.1

申请日：2021-12-17

申请人： 北京市科通电子继电器总厂有限公司

发明人： 赖耀康 ,  唐毓 ,  董海建 ,  张鹭鹏 ,  车向华

IPC分类号： G01R31/327

摘要： 本申请涉及一种产品过负载特性分析方法、装置、电子设备及介质，涉及固体继电器性能分析的领域；该方法包括：获取待分析产品的要求工况、测试参数以及预估过负载值；基于要求工况以及所述测试参数，获取极限过负载曲线；将所述预估过负载值与所述极限过负载曲线进行比对，获取对比结果信息；对所述对比结果信息进行分析，确定所述预估过负载值是否高于所述极限过负载曲线；若高于，则表示在所述要求工况以及所述测试参数下，所述待分析产品在所述预估过负载值时无法处于正常工作状态。本申请提高产品过负载特性的测试效率。

公开(公告)号：CN114354982A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111556574.3

申请日：2021-12-17

申请人： 北京市科通电子继电器总厂有限公司

发明人： 唐毓 ,  赖耀康 ,  张鹭鹏 ,  董海建 ,  车向华

IPC分类号： G01R1/04 ,  G01R31/26

摘要： 本申请涉及一种瞬态热阻测试方法、系统及电子设备，涉及热阻测试的领域，该方法包括若检测到加热电流断开，则采集压降数据直至达到第一预设条件，所述压降数据包括MOSFET芯片结温降低时任一时间点对应的反向PN结压降；所述第一预设条件包括：所述MOSFET芯片的结温降至环境温度，绘制冷却曲线，所述冷却曲线为所述MOSFET芯片降温过程中结温与时间的关系曲线，基于所述冷却曲线确定升温瞬态热阻变化曲线，基于所述升温瞬态热阻变化曲线、所述MOSFET芯片的Foster热结构网络以及所述MOSFET芯片的Foster热结构网络的拟合公式确定拟合瞬态热阻数学模型。本申请具有使得确定的MOSFET芯片的拟合瞬态热阻数学模型更准确的效果。

公开(公告)号：CN114264948A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202111554732.1

申请日：2021-12-17

申请人： 北京市科通电子继电器总厂有限公司

发明人： 赖耀康 ,  唐毓 ,  董海建 ,  张鹭鹏 ,  车向华

IPC分类号： G01R31/327

摘要： 本申请涉及一种产品过负载特性分析方法、装置、电子设备及介质，涉及固体继电器性能分析的领域；该方法包括：获取待分析产品的要求工况、测试参数以及预估过负载值；基于要求工况以及所述测试参数，获取极限过负载曲线；将所述预估过负载值与所述极限过负载曲线进行比对，获取对比结果信息；对所述对比结果信息进行分析，确定所述预估过负载值是否高于所述极限过负载曲线；若高于，则表示在所述要求工况以及所述测试参数下，所述待分析产品在所述预估过负载值时无法处于正常工作状态。本申请提高产品过负载特性的测试效率。