公开(公告)号：CN112289852B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011471670.3

申请日：2020-12-15

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  西安电子科技大学 ,  国家电网有限公司 ,  国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王立城 ,  庞振江 ,  彭业凌 ,  张宏涛 ,  任晨 ,  张龙涛 ,  马晓华 ,  曹艳荣 ,  赵扬 ,  周芝梅 ,  万勇 ,  陈琳 ,  杜艳

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

摘要： 本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源区和漏区，所述栅区下方即所述源区和漏区之间形成有沟道；所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述源区和漏区上方为源极和漏极；所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖；所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI器件结构的泄漏电流的同时提高了SOI器件结构的散热性能。

公开(公告)号：CN112289852A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202011471670.3

申请日：2020-12-15

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  西安电子科技大学 ,  国家电网有限公司 ,  国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王立城 ,  庞振江 ,  彭业凌 ,  张宏涛 ,  任晨 ,  张龙涛 ,  马晓华 ,  曹艳荣 ,  赵扬 ,  周芝梅 ,  万勇 ,  陈琳 ,  杜艳

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

摘要： 本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源区和漏区，所述栅区下方即所述源区和漏区之间形成有沟道；所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述源区和漏区上方为源极和漏极；所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖；所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI器件结构的泄漏电流的同时提高了SOI器件结构的散热性能。

公开(公告)号：CN113889537B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111482363.X

申请日：2021-12-07

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  西安电子科技大学

发明人： 赵东艳 ,  陈燕宁 ,  王于波 ,  付振 ,  邵瑾 ,  曹艳荣 ,  刘芳 ,  钟明琛 ,  张宏涛 ,  张龙涛 ,  任晨 ,  王敏 ,  马毛旦 ,  张鹏

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括栅电极、源电极和漏电极，还包括：浅槽隔离结构，所述浅槽隔离结构包括第一隔离部和第二隔离部，所述第二隔离部与所述第一隔离部契合；所述第二隔离部用于阻碍所述半导体器件内寄生沟道的形成。本发明在浅槽隔离区域设置相契合的第一隔离部和第二隔离部，通过第二隔离部将寄生沟道延伸至浅槽隔离区域内，减缓或阻断寄生沟道内电荷的流动，减少因浅槽隔离区域陷阱电荷影响而导致的泄漏电流。

公开(公告)号：CN113889537A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202111482363.X

申请日：2021-12-07

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  西安电子科技大学

发明人： 赵东艳 ,  陈燕宁 ,  王于波 ,  付振 ,  邵瑾 ,  曹艳荣 ,  刘芳 ,  钟明琛 ,  张宏涛 ,  张龙涛 ,  任晨 ,  王敏 ,  马毛旦 ,  张鹏

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括栅电极、源电极和漏电极，还包括：浅槽隔离结构，所述浅槽隔离结构包括第一隔离部和第二隔离部，所述第二隔离部与所述第一隔离部契合；所述第二隔离部用于阻碍所述半导体器件内寄生沟道的形成。本发明在浅槽隔离区域设置相契合的第一隔离部和第二隔离部，通过第二隔离部将寄生沟道延伸至浅槽隔离区域内，减缓或阻断寄生沟道内电荷的流动，减少因浅槽隔离区域陷阱电荷影响而导致的泄漏电流。

公开(公告)号：CN211810899U

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201922093144.7

申请日：2020-07-15

申请人： 国网新疆电力有限公司物资公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 任晨 ,  陈鹏 ,  张骏峰 ,  刘明基 ,  黄伟 ,  王玉浩 ,  唐燕金 ,  张莹

IPC分类号： B65D25/04 ,  B65D25/02 ,  B65D25/10 ,  B65D81/26

摘要： 本实用新型公开了电力物资仓库储存箱，涉及电力物资技术领域，包括箱体，所述箱体的内侧壁固定连接有隔板，隔板的上表面固定连接有挡板，箱体内侧壁固定连接有滑槽，滑槽的内部滑动连接有升降推杆，升降推杆的左侧固定铰接有第一转轮，第一转轮的外表面滑动连接有Y型传动架，Y型传动架远离第一转轮的一侧面滑动连接有第三转轮，第三转轮的内圈固定铰接有滑杆，滑杆的背面与箱体内侧壁滑动连接，滑杆的上表面固定连接有LED灯板。该电力物资仓库储存箱设置升降结构，节省箱体的内部空间，设置蓄电池防止在停电的情况需要用到电源，也来给LED灯板来提供电源，具备合理利用空间、可以充电、可照明和防水防潮的优点。

公开(公告)号：CN214012826U

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202120151020.4

申请日：2021-01-20

申请人： 国网新疆电力有限公司物资公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 任晨 ,  马莹 ,  卿云 ,  刘佩鑫 ,  黄霞 ,  张骏峰 ,  陈鹏 ,  黄伟 ,  王泽旭 ,  丁薇

IPC分类号： H01H33/662

摘要： 本实用新型涉及电力设备技术领域，是一种便于组装的电力设备用高压真空断路器，包括高压真空断路器本体和绝缘子，高压真空断路器本体上端设有至少两排左右间隔分布的第一绝缘座，每个第一绝缘座上侧左右间隔设有至少两个开口向上的连接槽，每个第一绝缘座上方均设有底端固定有第二绝缘座的绝缘子，第二绝缘座下侧设有与连接槽相匹配的连接块。本实用新型结构合理而紧凑，使用方便，通过设置第一绝缘座与高压真空断路器本体固定连接在一起，第二绝缘座与绝缘子固定连接在一起，将第一绝缘座和第二绝缘座固定，从而将绝缘子与高压真空断路器本体固定在一起，便于绝缘子与高压真空断路器本体之间的安装。