一种压接式绝缘栅双极型晶体管高温反偏试验方法

    公开(公告)号:CN111856229B

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN201910292678.4

    申请日:2019-04-12

    Abstract: 本发明公开了一种压接式绝缘栅双极型晶体管高温反偏试验方法,通过加大压接式IGBT器件的夹持力,将原先需要1000h的压接式IGBT器件高温反偏试验时间缩短到了197.64h,极大缩短了试验时间。将IGBT器件放置在恒温箱中,温度恒定在150℃;同时向集电极和发射极之间施加电压VCE(取最大电压VCE‑max的80%);栅极电压VGE保持为零;同时施加机械压力,使机械压强Ptest保持在2Gpa。持续197.64h后,降温至室温,撤去电压和外加的机械压力,再按照国际标准IEC60747‑9(2007)中规定的晶体管参数检测方法和耐受试验失效标准,诊断该器件是否失效。

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