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公开(公告)号：CN116525562A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310403838.4
申请日：2023-04-17
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , H01L23/13 , H01L25/18
Abstract: 本发明提供一种IGBT模块的封装结构，针对当前国内外焊接式IGBT模块结构依然按照芯片、焊料、DBC及平面基板常规的方式从内到外组成，在整个封装结构中，芯片热耦合严重，热传递路径散热热耦合同样严重，整个模块的散热效果较差的问题，通过对芯片传热路径中基板进行微型化PressFIT微型化及基板凹槽嵌合技术处理，通过对IGBT模块基板的结构处理，即改变芯片散热通道及热阻，减少芯片及热传递路径耦合，这样可以进一步加大芯片的散热效果，在不超过芯片的最高结温下，通过这一技术可以提高芯片的功率密度，用在变流器中时，可以提供整个变流器单元的功率密度，从而减小IGBT模块的热失效率，提高整个IGBT模块寿命，其IGBT模块鲁棒性也大大加强。
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公开(公告)号：CN115877162A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211536414.7
申请日：2022-12-02
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块结温在线评估方法及装置，属于电子器件电学和热学测量技术领域，方法包括：记录温度传感器处的瞬态温升曲线；记录芯片处的瞬态温降曲线；将芯片处的瞬态温降曲线转化为芯片处的瞬态温升曲线；根据芯片处的瞬态温升曲线和温度传感器处的瞬态温升曲线，计算芯片到温度传感器的瞬态热阻；根据预构建的热阻热容网络FOSTER模型，对芯片到温度传感器的瞬态热阻进行拟合，以获取芯片到温度传感器的瞬态热阻曲线；根据芯片到温度传感器的瞬态热阻曲线，计算芯片到温度传感器的脉冲热阻；根据芯片到温度传感器的脉冲热阻，计算功率半导体模块的结温。本发明通过芯片到温度传感器的脉冲热阻，能够计算功率半导体模块的结温。
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公开(公告)号：CN116400187A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310515717.9
申请日：2023-05-09
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26 , G01R31/52 , G01R1/36 , G01R19/165
Abstract: 本发明公开一种IGBT器件的漏电可靠性自动检测电路和方法，该电路包括：PWM控制单元；HTGB测试回路和HTRB测试回路组成的互锁检测单元；其中，所述PWM控制单元与所述互锁检测单元连接，用于控制所述互锁检测单元中的HTGB测试回路和HTRB测试回路自动进行互锁测试；所述互锁检测单元，用于对IGBT器件进行HTGB和HTRB互锁检测，得到IGBT器件的栅极‑发射极漏电流或集电极‑发射极漏电流。本发明提供的IGBT器件的漏电可靠性自动检测电路和方法，既实现了HTGB测试和HTRB测试的自动检测，也在被考核器件漏电流过大时，保护了被考核器件器件，并且减少了设备冗余，简化了测试流程，降低了成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115524595A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211207969.7
申请日：2022-09-30
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26 , H03K7/08 , H03K17/567
Abstract: 本发明公开了一种功率器件的HTRB可靠性测试装置及方法，包括主测试电路、IGBT控制电路和采样保护电路，主测试电路包括被测功率器件、漏电流检测电阻、连接漏电流检测电阻的第一电压表、IGBT控制开关和电压源，采样保护电路的一端连接第一电压表，采样保护电路的另一端连接IGBT控制电路的一端，IGBT控制电路的另一端连接IGBT控制开关；通过采样保护电路采集与被测功率器件相连的漏电流检测电阻的电压，根据电压大小通过IGBT控制电路生成IGBT控制驱动信号，进而控制IGBT控制开关开通或关断，进行HTRB可靠性测试。本发明能够模拟功率器件的实际工况方式，实现更高效、更可靠的测试。
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公开(公告)号：CN115421017A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211170388.0
申请日：2022-09-23
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: G01R31/26 , G01R19/257 , G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种适用于功率器件的可靠性测试电路及方法，包括：采样电路、控制电路、电平转换电路和驱动电路；所述采样电路用于与功率器件的栅极相连，采集功率器件的栅极电流；所述控制电路的输入端与所述采样电路相连，根据采样电路输出的栅极电流产生或不产生PWM信号；所述电平转换电路的输入端与所述控制电路的输出端，对控制电路输出的PWM信号进行电平转换；所述驱动电路的输入端与所述电平转换电路的输出端相连，其输出端用于与功率器件的栅极相连，控制功率器件的开/关。本发明利用PWM技术对被测功率器件的门极‑发射极/源极进行开关控制，在高温下，对功率器件进行HTGB可靠性考核。
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公开(公告)号：CN219936019U
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202321097251.7
申请日：2023-05-09
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26 , G01R31/52 , G01R1/36 , G01R19/165
Abstract: 本实用新型公开一种IGBT器件的漏电可靠性自动检测电路，该电路包括：PWM控制单元；HTGB测试回路和HTRB测试回路组成的互锁检测单元；其中，所述PWM控制单元与所述互锁检测单元连接。本实用新型提供的IGBT器件的漏电可靠性自动检测电路，既实现了HTGB测试和HTRB测试的自动检测，也在被考核器件漏电流过大时，保护了被考核器件器件，并且减少了设备冗余，简化了测试流程，降低了成本。
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公开(公告)号：CN218727774U
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202222519041.4
申请日：2022-09-23
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: G01R31/26 , G01R19/257 , G01R19/00
Abstract: 本实用新型公开了一种适用于功率器件的可靠性测试电路，包括：采样电路、控制电路、电平转换电路和驱动电路；所述采样电路用于与功率器件的栅极相连，采集功率器件的栅极电流；所述控制电路的输入端与所述采样电路相连，根据采样电路输出的栅极电流产生或不产生PWM信号；所述电平转换电路的输入端与所述控制电路的输出端，对控制电路输出的PWM信号进行电平转换；所述驱动电路的输入端与所述电平转换电路的输出端相连，其输出端用于与功率器件的栅极相连，控制功率器件的开/关。本实用新型利用PWM技术对被测功率器件的门极‑发射极/源极进行开关控制，在高温下，对功率器件进行HTGB可靠性考核。
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公开(公告)号：CN220106498U
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202320842283.9
申请日：2023-04-17
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , H01L23/13 , H01L25/18
Abstract: 本实用新型提供一种IGBT模块的封装结构，针对当前国内外焊接式IGBT模块结构依然按照芯片、焊料、DBC及平面基板常规的方式从内到外组成，在整个封装结构中，芯片热耦合严重，热传递路径散热热耦合同样严重，整个模块的散热效果较差的问题，通过对芯片传热路径中基板进行微型化PressFIT微型化及基板凹槽嵌合技术处理，通过对IGBT模块基板的结构处理，即改变芯片散热通道及热阻，减少芯片及热传递路径耦合，这样可以进一步加大芯片的散热效果，在不超过芯片的最高结温下，通过这一技术可以提高芯片的功率密度，用在变流器中时，可以提供整个变流器单元的功率密度，从而减小IGBT模块的热失效率，提高整个IGBT模块寿命，其IGBT模块鲁棒性也大大加强。
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