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公开(公告)号：CN103283069B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201180064199.9
申请日：2011-10-18
Applicant: 吉坤日矿日石能源株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够抑制伴随重复充放电循环、在充电状态下保存以及浮充等产生的容量劣化的锂离子二次电池负极用非晶质系碳材料。提供一种锂离子二次电池负极用非晶质系碳材料，其特征在于，在具备能够可逆性地嵌入锂的含有锂的正极、由非晶质系碳材料形成的负极和非水电解质的非水电解质二次电池中，由利用粉末X射线衍射法测定的非晶质系碳材料的(002)衍射线算出的c轴方向的微晶的大小即Lc(002)为2.0～8.0nm，并且在使用X频带测定的电子自旋共振法中具有在3200～3400高斯(G)的范围内出现的源自碳的光谱，温度4.8K下的信号强度(I4.8K)相对于温度40K下测定的该光谱的信号强度(I40K)的相对信号强度比(I4.8K/I40K)为2.4～3.5，以及由温度4.8K的一阶导数光谱算出的该光谱的线宽即△Hpp为70～180高斯(G)。
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公开(公告)号：CN103283069A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180064199.9
申请日：2011-10-18
Applicant: 吉坤日矿日石能源株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够抑制伴随重复充放电循环、在充电状态下保存以及浮充等产生的容量劣化的锂离子二次电池负极用非晶质系碳材料。提供一种锂离子二次电池负极用非晶质系碳材料，其特征在于，在具备能够可逆性地嵌入锂的含有锂的正极、由非晶质系碳材料形成的负极和非水电解质的非水电解质二次电池中，由利用粉末X射线衍射法测定的非晶质系碳材料的(002)衍射线算出的c轴方向的微晶的大小即Lc(002)为2.0～8.0nm，并且在使用X频带测定的电子自旋共振法中具有在3200～3400高斯(G)的范围内出现的源自碳的光谱，温度4.8K下的信号强度(I4.8K)相对于温度40K下测定的该光谱的信号强度(I40K)的相对信号强度比(I4.8K/I40K)为2.4～3.5，以及由温度4.8K的一阶导数光谱算出的该光谱的线宽即△Hpp为70～180高斯(G)。
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公开(公告)号：CN103262315A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180059971.8
申请日：2011-12-05
Applicant: 吉坤日矿日石能源株式会社
CPC classification number: H01M4/133 , C01B32/20 , C01P2002/70 , H01M4/587 , H01M10/0525 , H01M2004/021 , H01M2004/027 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明提供一种能够抑制伴随重复充放电循环、在充电状态下保存以及浮充等产生的容量劣化的锂离子二次电池负极用石墨材料。提供一种锂离子二次电池负极用石墨材料，其特征在于，由利用粉末X射线衍射法测定的(112)衍射线算出的c轴方向的微晶的大小即Lc(112)为4.0～30nm，在使用X频带测定的电子自旋共振法中出现的源自碳的光谱在3200～3400高斯(G)的范围，温度4.8K下测定的上述光谱的信号强度(I4.8K)相对于温度40K下测定的上述光谱的信号强度(I40K)的相对信号强度比(I4.8K/I40K)为1.5～3.0，由温度4.8K的一阶导数光谱算出的上述光谱的线宽即△Hpp为20～40高斯(G)。
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公开(公告)号：CN103262315B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180059971.8
申请日：2011-12-05
Applicant: 吉坤日矿日石能源株式会社
CPC classification number: H01M4/133 , C01B32/20 , C01P2002/70 , H01M4/587 , H01M10/0525 , H01M2004/021 , H01M2004/027 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明提供一种能够抑制伴随重复充放电循环、在充电状态下保存以及浮充等产生的容量劣化的锂离子二次电池负极用石墨材料。提供一种锂离子二次电池负极用石墨材料，其特征在于，由利用粉末X射线衍射法测定的(112)衍射线算出的c轴方向的微晶的大小即Lc(112)为4.0～30nm，在使用X频带测定的电子自旋共振法中出现的源自碳的光谱在3200～3400高斯(G)的范围，温度4.8K下测定的上述光谱的信号强度(I4.8K)相对于温度40K下测定的上述光谱的信号强度(I40K)的相对信号强度比(I4.8K/I40K)为1.5～3.0，由温度4.8K的一阶导数光谱算出的上述光谱的线宽即△Hpp为20～40高斯(G)。
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