公开(公告)号：CN100501959C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200510016732.0

申请日：2005-04-20

Applicant: 吉林大学

Inventor： 高忠民 ,  冯守华 ,  侯长民 ,  黄科科 ,  李向山

IPC: H01L21/66 ,  G01N23/20

Abstract: 本发明的应用面探衍射仪检测异质外延膜晶格取向的方法，属于X射线检测技术领域。本发明使用带有面探测器的X射线衍射仪，实现对大失配度异质外延膜的摇摆角Δω的检测；并给出检测另外一种晶格取向偏差，即旋转角ΔΦ的方法及其在n取向上的旋转角ΔΦn所占有的百分比Rn；用包括Δω、ΔΦ和Rn在内的一组数据来全面完整的表征大失配度异质外延膜的晶体取向。本发明对于所限定的大失配度异质外延膜的检测对象，检测成功率几乎可达100%，而检测时间约为双晶衍射仪完成同样工作的1%，可见应用面探衍射仪检测大失配度异质外延膜具有高效、快速、全面的优点。

公开(公告)号：CN1702848A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510016732.0

申请日：2005-04-20

Applicant: 吉林大学

Inventor： 高忠民 ,  冯守华 ,  侯长民 ,  黄科科 ,  李向山

IPC: H01L21/66 ,  G01N23/20

Abstract: 本发明的应用面探衍射仪检测异质外延膜晶格取向的方法，属于X射线检测技术领域。本发明使用带有面探测器的X射线衍射仪，实现对大失配度异质外延膜的摇摆角Δω的检测；并给出检测另外一种晶格取向偏差，即旋转角ΔΦ的方法及其在n取向上的旋转角ΔΦn所占有的百分比Rn；用包括Δω、ΔΦ和Rn在内的一组数据来全面完整的表征大失配度异质外延膜的晶体取向。本发明对于所限定的大失配度异质外延膜的检测对象，检测成功率几乎可达100％，而检测时间约为双晶衍射仪完成同样工作的1％，可见应用面探衍射仪检测大失配度异质外延膜具有高效、快速、全面的优点。

公开(公告)号：CN1563958A

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN200410010792.7

申请日：2004-04-05

Applicant: 吉林大学

Inventor： 冯守华 ,  高忠民 ,  侯长民 ,  黄科科 ,  郑大方 ,  李向山

IPC: G01N23/20 ,  G06F19/00

Abstract: 本发明的氧化物半导体外延膜高通量X射线衍射分析方法属结构数据测试领域。采用高通量细光束X射线衍射仪，经制备试样库、测试基本数据、计算结构数据的过程，实现对半导体外延膜结晶取向、品格应变、晶粒尺寸等结构参量测试分析。制备试样库是将选定的测试区进行阶梯状或楔形不等厚减薄处理，在试样库上按厚薄顺次选取5－30个结构参量数据采集点。最后将测量得到的基本数据经计算得到在薄膜不同厚度处的5－30个结构参量数据。本发明检测分析结果精确可靠，大幅度减少分析时间和研究成本；在各类半导体外延膜的成核长大规律、衬底对薄膜外延生长的影响、过渡层的作用、复杂量子阱及多层膜的精细结构等方面研究工作中有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN1151067C

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN02109529.9

申请日：2002-04-20

Applicant: 吉林大学

Inventor： 阚秋斌 ,  吴通好 ,  李工 ,  侯长民 ,  黄家辉

IPC: C01B39/04

Abstract: 本发明属于具有强酸位的立方介孔硅铝分子筛材料的制备方法。物料包括铝源、硅源、模板剂、表面活性剂、水，还包括盐酸。总物料的摩尔比为SiO2∶a Al2O3∶bTEAOH∶(0.13～0.28)CTAB∶c HCl∶d H2O，a＝0～0.04；b＝0.4～0.6；c＝0.1～0.4；d＝32～36。第一步晶化是在130～140℃晶化20～120h，制得Beta沸石结构单元体前驱体。第二步晶化是将表面活性剂和HCl溶于40～60℃的水中，在搅拌下滴加入前驱体中，制得原粉。制备氢型样品就是焙烧和离子交换的过程。本发明用较低浓度的表面活性剂，既能合成立方又能合成六方介孔分子筛材料；合成的立方有序介孔分子筛材料是中孔径强酸位的催化材料，水热稳定性好，催化活性高，具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN100392380C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200410010792.7

申请日：2004-04-05

Applicant: 吉林大学

Inventor： 冯守华 ,  高忠民 ,  侯长民 ,  黄科科 ,  郑大方 ,  李向山

IPC: G01N23/20 ,  G06F19/00

Abstract: 本发明的氧化物半导体外延膜高通量X射线衍射分析方法属结构数据测试领域。采用高通量细光束X射线衍射仪，经制备试样库、测试基本数据、计算结构数据的过程，实现对半导体外延膜结晶取向、晶格应变、晶粒尺寸等结构参量测试分析。制备试样库是将选定的测试区进行阶梯状或楔形不等厚减薄处理，在试样库上按厚薄顺次选取5-30个结构参量数据采集点。最后将测量得到的基本数据经计算得到在薄膜不同厚度处的5-30个结构参量数据。本发明检测分析结果精确可靠，大幅度减少分析时间和研究成本；在各类半导体外延膜的成核长大规律、衬底对薄膜外延生长的影响、过渡层的作用、复杂量子阱及多层膜的精细结构等方面研究工作中有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN1386703A

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN02109529.9

申请日：2002-04-20

Applicant: 吉林大学

Inventor： 阚秋斌 ,  吴通好 ,  李工 ,  侯长民 ,  黄家辉

IPC: C01B39/04

Abstract: 本发明属于具有强酸位的立方介孔硅铝分子筛材料的制备方法。物料包括铝源、硅源、模板剂、表面活性剂、水,还包括盐酸。总物料的摩尔比为SiO2∶aAl2O3∶bTEAOH∶(0.13～0.28)CTAB∶cHCl∶dH2O,a=0～0.04;b=0.4～0.6;c=0.1～0.4;d=32～36。第一步晶化是在130～140℃晶化20～120h,制得Beta沸石结构单元体前驱体。第二步晶化是将表面活性剂和HCl溶于40～60℃的水中,在搅拌下滴加入前驱体中,制得原粉。制备氢型样品就是焙烧和离子交换的过程。本发明用较低浓度的表面活性剂,既能合成立方又能合成六方介孔分子筛材料;合成的立方有序介孔分子筛材料是中孔径强酸位的催化材料,水热稳定性好,催化活性高,具有较好的应用前景。