-
公开(公告)号：CN115612492B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202211404735.1
申请日：2022-11-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开一种室温合成高熵合金掺杂钙钛矿纳米晶的制备方法与应用，具体涉及一种室温下合成铷银(Rb/Ag)双离子掺杂铯铅溴(CsPbBr3)纳米晶的方法，其制备过程是在室温下将碳酸铯(Cs2CO3)的辛酸溶液和溴化铷(RbBr)的甲苯溶液混合注入到含溴化银(AgBr)和溴化铅(PbBr2)的甲苯溶液中得到Rb/Ag双离子掺杂CsPbBr3纳米晶，通过离心洗涤获得尺寸分布均匀的纳米晶溶液。一方面，银对铅的替代有效降低了纳米晶中铅的含量，另一方面，铷和银的高熵合金化掺杂可以进一步提高纳米晶的稳定性。利用室温法制备Rb/Ag双离子掺杂CsPbBr3纳米晶工艺简便，合成条件简单，能够显著提高纳米晶的稳定性，同时制备出的发光二极管(LED)器件具有优越的光电性能，外量子效率可以达到12.99％。
-
公开(公告)号：CN115581077A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211243042.9
申请日：2022-10-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开一种基于中空结构的无铅钙钛矿太阳电池，其利用乙二胺(EDA)抑制锡基钙钛矿薄膜ASnI3(其中A为甲脒离子(FA+)、甲胺离子(MA+)或铯离子(Cs+)及其二元与三元混合物)晶内缺陷以实现高效中空结构的无铅钙钛矿太阳电池。本发明通过引入乙二胺(EDA)使部分[SnI6]4‑结构从3D结构中缺失，呈现出非周期性断裂的Sn‑I键，从而形成中空结构。利用本发明可以提高锡空位的形成能，优化电荷传输路径的同时降低薄膜中的缺陷态密度，利用此方法制备的无铅钙钛矿太阳电池器件具有优异的光电性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117412645A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311341419.9
申请日：2023-10-17
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开一种Cs3Bi2I9结构的铋基钙钛矿太阳电池，其利用醋酸铋作为添加剂抑制铋基钙钛矿薄膜晶内缺陷以实现高效无铅钙钛矿太阳电池。本发明通过引入一定量的醋酸铋作为添加剂，利用本发明可以减缓铋基钙钛矿结晶速度，增大晶粒体积，从而减少晶界，提高短路电流密度。利用此添加剂制备的无铅钙钛矿太阳电池器件的光电性能被大幅提升。
-
公开(公告)号：CN117377363A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311341415.0
申请日：2023-10-17
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开一种Cs3Bi2I9结构的铋基钙钛矿太阳电池，其利用乙酸甲脒作为添加剂抑制铋基钙钛矿薄膜晶内缺陷以实现高效无铅钙钛矿太阳电池。本发明通过引入一定量的乙酸甲脒作为添加剂，使用旋涂法制备钙钛矿薄膜。利用本发明可以减缓铋基钙钛矿结晶速度，增大晶粒体积，从而减少晶界，提高短路电流密度。利用此添加剂制备的无铅钙钛矿太阳电池器件的光电性能被大幅提升。
-
公开(公告)号：CN115612492A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211404735.1
申请日：2022-11-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开一种室温合成高熵合金掺杂钙钛矿纳米晶的制备方法与应用，具体涉及一种室温下合成铷银(Rb/Ag)双离子掺杂铯铅溴(CsPbBr3)纳米晶的方法，其制备过程是在室温下将碳酸铯(Cs2CO3)的辛酸溶液和溴化铷(RbBr)的甲苯溶液混合注入到含溴化银(AgBr)和溴化铅(PbBr2)的甲苯溶液中得到Rb/Ag双离子掺杂CsPbBr3纳米晶，通过离心洗涤获得尺寸分布均匀的纳米晶溶液。一方面，银对铅的替代有效降低了纳米晶中铅的含量，另一方面，铷和银的高熵合金化掺杂可以进一步提高纳米晶的稳定性。利用室温法制备Rb/Ag双离子掺杂CsPbBr3纳米晶工艺简便，合成条件简单，能够显著提高纳米晶的稳定性，同时制备出的发光二极管(LED)器件具有优越的光电性能，外量子效率可以达到12.99％。
-
公开(公告)号：CN115377296A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210690340.6
申请日：2022-06-17
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开一种利用原位生长甲脒盐酸盐(FACl)分子降低锡基钙钛矿薄膜ASnI3(其中A为甲脒(FA)、甲胺(MA)、Cs及其二元与三元混合物)表面四价锡离子(Sn4+)浓度的方法。本发明通过发现在锡基钙钛矿薄膜表面原位生长甲脒盐酸盐(FACl)分子可以与薄膜表面自发形成的四碘化锡(SnI4)组分形成配合物，配合物的挥发温度明显低于后续退火处理的温度，可以有效去除锡基钙钛矿薄膜表面自发形成的Sn4+。利用本发明可以有效降低锡基钙钛矿薄膜表面Sn4+的浓度，提高薄膜的结晶度同时大幅降低缺陷态密度，利用此方法制备的锡基钙钛矿薄膜具有优越的光电性能。
-
公开(公告)号：CN115633509A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211241959.5
申请日：2022-10-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开一种新型的基于卤化物钙钛矿的中间带太阳电池。本发明通过以A'[Pb2X6]为研究对象，其中A'为N,N'‑二甲基吡嗪(dmpz)、N‑氢‑N'‑甲基吡嗪(Hmpz)或N‑氢‑N'‑乙基吡嗪(Hepz)等，X为碘(I)或溴(Br)等，利用半导体载流子扩散经典模型计算新型的基于卤化物钙钛矿的中间带太阳电池在不同限制因素下的理论光电转换效率(PCE)。通过本发明可以量化不同限制因素对中间带太阳电池理论PCE的影响幅度，了解理论PCE与实际器件PCE之间的差距，为中间带太阳电池的理论PCE提供有用的见解。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.015 seconds)
