公开(公告)号：CN102497517A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201110381913.9

申请日：2011-11-25

Applicant: 吉林大学

Inventor： 常玉春 ,  周泉 ,  王玉琦 ,  杜国同 ,  郭树旭 ,  乔栋 ,  李兆涵

IPC: H04N5/374 ,  H04N5/3745

CPC classification number: H04N5/35554

Abstract: 本发明属于半导体图像感测领域，具体涉及一种低工作电压宽动态范围图像传感器装置。图像传感器装置包括一个像素电路、一个模数转换电路、行读出控制电路和列读出控制电路。像素电路采用连续工作模式，提出一种电流源控制方式，不会引入复位噪声，输出电压直接输入模数转换电路进行模数转换，不需要集成相关双采样电路；同时像素电路输出电压摆幅大，不需要集成列放大器电路，简化了装置设计流程，节省芯片面积。该图像传感器装置采用1.8V低工作电压，适于低功耗应用；感光动态范围极宽，高达160dB；结构简单，像素尺寸小；输出电压摆幅大，可以直接被12-bitADC读取。

公开(公告)号：CN101447524B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200810051680.4

申请日：2008-12-25

Applicant: 吉林大学

Inventor： 常玉春 ,  刘欣 ,  王玉琦 ,  杜国同 ,  郭树旭 ,  王富昕 ,  史中翩

IPC: H01L31/11

Abstract: 本发明涉及一种穿通效应增强型硅光电晶体管。包括NPN和PNP两种类型，其由下至上包括硅衬底层，位于硅衬底层上的P阱(或N阱)层，位于P阱(或N阱)层内的两个分立的N型(或P型)重掺杂有源区，位于P阱(或N阱)层内、被两个N型(或P型)重掺杂有源区环绕的场区二氧化硅层，位于P阱(或N阱)层窄侧和场区二氧化硅层上表面的两个分立的条形栅氧二氧化硅层，覆盖在栅氧二氧化硅层上、与栅氧二氧化硅层形状相同的两个分立的多晶硅层，位于P阱(或N阱)层宽侧上表面且与两个分立的N型(或P型)重掺杂有源区的分别连接的条形金属电极层。该器件可以有效提高器件光电转换增益，限制器件的暗电流，降低器件噪声，得到高的信噪比。

公开(公告)号：CN101447524A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810051680.4

申请日：2008-12-25

Applicant: 吉林大学

Inventor： 常玉春 ,  刘欣 ,  王玉琦 ,  杜国同 ,  郭树旭 ,  王富昕 ,  史中翩

IPC: H01L31/11

Abstract: 本发明涉及一种穿通效应增强型硅光电晶体管。包括NPN和PNP两种类型，其由下至上包括硅衬底层，位于硅衬底层上的P阱(或N阱)层，位于P阱(或N阱)层内的两个分立的N型(或P型)重掺杂有源区，位于P阱(或N阱)层内、被两个N型(或P型)重掺杂有源区环绕的场区二氧化硅层，位于P阱(或N阱)层窄侧和场区二氧化硅层上表面的两个分立的条形栅氧二氧化硅层，覆盖在栅氧二氧化硅层上、与栅氧二氧化硅层形状相同的两个分立的多晶硅层，位于P阱(或N阱)层宽侧上表面且与两个分立的N型(或P型)重掺杂有源区的分别连接的条形金属电极层。该器件可以有效提高器件光电转换增益，限制器件的暗电流，降低器件噪声，得到高的信噪比。

公开(公告)号：CN102497517B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201110381913.9

申请日：2011-11-25

Applicant: 吉林大学

Inventor： 常玉春 ,  周泉 ,  王玉琦 ,  杜国同 ,  郭树旭 ,  乔栋 ,  李兆涵

IPC: H04N5/374 ,  H04N5/3745

CPC classification number: H04N5/35554

Abstract: 本发明属于半导体图像感测领域，具体涉及一种低工作电压宽动态范围图像传感器装置。图像传感器装置包括一个像素电路、一个模数转换电路、行读出控制电路和列读出控制电路。像素电路采用连续工作模式，提出一种电流源控制方式，不会引入复位噪声，输出电压直接输入模数转换电路进行模数转换，不需要集成相关双采样电路；同时像素电路输出电压摆幅大，不需要集成列放大器电路，简化了装置设计流程，节省芯片面积。该图像传感器装置采用1.8V低工作电压，适于低功耗应用；感光动态范围极宽，高达160dB；结构简单，像素尺寸小；输出电压摆幅大，可以直接被12-bitADC读取。