公开(公告)号：CN115291334B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202210914355.6

申请日：2022-08-01

Applicant: 吉林大学

Inventor： 丁颖智 ,  尹悦鑫 ,  许馨如 ,  曾国宴 ,  徐智渊 ,  管斌礼 ,  张大明

IPC: G02B6/35 ,  G02F1/035 ,  G02F1/025 ,  G02F1/01

Abstract: 一种基于硅基PIN调制的TE0/TE1多模电光开关，属于硅基光电子器件技术领域。由输入波导和输出波导、3‑dB耦合器、模式转换器、弯曲波导、移相器、楔形转换器、调制臂和电极组成，由下至上为硅衬底、硅基芯层和二氧化硅包层，楔形转换器、移相器和调制臂的芯层均为脊型结构。本发明所述的多模电光开关在1550nm的工作波长下，二氧化硅包层和硅基芯层的折射率分别为1.44和3.47。本发明2×2多模开关用到的3‑dB耦合器支持传输TE0、TE1两种输入光信号，当输入光为TE1模式光时，通过一个模式转换器，转换为TE0模式，再对其进行调制，相比于直接调制多模波导，可以提高调制效率，并且降低功耗。

公开(公告)号：CN115755272A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211498547.X

申请日：2022-11-28

Applicant: 吉林大学

Inventor： 管斌礼 ,  尹悦鑫 ,  徐智渊 ,  许馨如 ,  丁颖智 ,  王菲 ,  张大明

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/13 ,  G02B6/136

Abstract: 一种聚合物/氮化硅混合集成的可变光衰减器及其制备方法，属于光波导可变光衰减器技术领域。由硅衬底、二氧化硅下包层、芯层波导、聚合物上包层、金属调制电极组成；芯层波导由氮化硅输入直波导、氮化硅输入拉锥波导、聚合物芯层直波导、氮化硅输出拉锥波导和氮化硅输出直波导组成，氮化硅输入拉锥波导和氮化硅输出拉锥波导被包埋在聚合物芯层直波导之中。对金属调制电极施加电压时，光在经过温度发生变化的该有效区域时会产生相位差，自映像的位置发生变化，使得耦合进入氮化硅输出直波导的光强发生变化，从而构成聚合物/氮化硅混合集成的可变光衰减器。该器件结构紧凑、功耗低、响应速度快，在光通信、集成光学等领域具有很大的应用潜力。

公开(公告)号：CN115755272B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202211498547.X

申请日：2022-11-28

Applicant: 吉林大学

Inventor： 管斌礼 ,  尹悦鑫 ,  徐智渊 ,  许馨如 ,  丁颖智 ,  王菲 ,  张大明

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/13 ,  G02B6/136

Abstract: 一种聚合物/氮化硅混合集成的可变光衰减器及其制备方法，属于光波导可变光衰减器技术领域。由硅衬底、二氧化硅下包层、芯层波导、聚合物上包层、金属调制电极组成；芯层波导由氮化硅输入直波导、氮化硅输入拉锥波导、聚合物芯层直波导、氮化硅输出拉锥波导和氮化硅输出直波导组成，氮化硅输入拉锥波导和氮化硅输出拉锥波导被包埋在聚合物芯层直波导之中。对金属调制电极施加电压时，光在经过温度发生变化的该有效区域时会产生相位差，自映像的位置发生变化，使得耦合进入氮化硅输出直波导的光强发生变化，从而构成聚合物/氮化硅混合集成的可变光衰减器。该器件结构紧凑、功耗低、响应速度快，在光通信、集成光学等领域具有很大的应用潜力。

公开(公告)号：CN117590518A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311667757.1

申请日：2023-12-06

Applicant: 吉林大学

Inventor： 徐智渊 ,  尹悦鑫 ,  管斌礼 ,  程派 ,  曾国宴 ,  王子豪 ,  张大明

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/125

Abstract: 一种聚合物/二氧化硅基单微环辅助可调谐MZI平顶滤波器，属于聚合物信号光波导滤波器技术领域。本发明在马赫·曾德尔干涉器的一调制臂上耦合一个全通型微环谐振器，构成单微环辅助可调谐马赫·增德尔干涉器滤波器，上半部分为微环谐振器，下半部分为包含两个多模干涉器和两个调制臂的四端口MZI结构，上调制臂同样为多模干涉器结构，其上输入端‑输出端接入微环谐振器。本发明能够对输入的信号光波进行相位调控，可实现平顶的透射形态输出，当微环的周长发生微小变化时，可通过调节电极使信号光的相位发生改变，实现稳定的滤波输出。本传输谱顶部平坦，边沿陡峭，3dB带宽为103.6pm，品质因子Q为1.265×104。

公开(公告)号：CN115291334A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210914355.6

申请日：2022-08-01

Applicant: 吉林大学

Inventor： 丁颖智 ,  尹悦鑫 ,  许馨如 ,  曾国宴 ,  徐智渊 ,  管斌礼 ,  张大明

IPC: G02B6/35 ,  G02F1/035 ,  G02F1/025 ,  G02F1/01

Abstract: 一种基于硅基PIN调制的TE0/TE1多模电光开关，属于硅基光电子器件技术领域。由输入波导和输出波导、3‑dB耦合器、模式转换器、弯曲波导、移相器、楔形转换器、调制臂和电极组成，由下至上为硅衬底、硅基芯层和二氧化硅包层，楔形转换器、移相器和调制臂的芯层均为脊型结构。本发明所述的多模电光开关在1550nm的工作波长下，二氧化硅包层和硅基芯层的折射率分别为1.44和3.47。本发明2×2多模开关用到的3‑dB耦合器支持传输TE0、TE1两种输入光信号，当输入光为TE1模式光时，通过一个模式转换器，转换为TE0模式，再对其进行调制，相比于直接调制多模波导，可以提高调制效率，并且降低功耗。