公开(公告)号：CN115128423B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202210762660.8

申请日：2022-06-30

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 李兴冀 ,  魏亚东 ,  黄垣婷 ,  李伟奇 ,  杨剑群

IPC分类号： G01R31/26 ,  G06T11/20

摘要： 本发明提供一种重离子辐照影响β‑Ga2O3MOSFET器件电化学性能的方法，包括：将外延层中掺杂施主Si元素的β‑Ga2O3在室温条件下进行不同注量的重离子辐照；检测重离子辐照前后β‑Ga2O3外延晶片的单斜结构、弯曲振动、拉伸模式光学性质和化学结合状态；对步骤S2中得到的实验数据进行总结，得出重离子辐照β‑Ga2O3外延晶片后产生的点缺陷；将步骤S3中产生的点缺陷引入β‑Ga2O3MOSFET模型中，输出模拟电学性能曲线。本发明通过将β‑Ga2O3外延晶片的辐照研究与β‑Ga2O3MOSFET器件的模拟研究进行结合，对β‑Ga2O3MOSFET器件抗辐射机理研究产生了显著的效果。

公开(公告)号：CN115128423A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210762660.8

申请日：2022-06-30

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 李兴冀 ,  魏亚东 ,  黄垣婷 ,  李伟奇 ,  杨剑群

IPC分类号： G01R31/26 ,  G06T11/20

摘要： 本发明提供一种重离子辐照影响β‑Ga2O3MOSFET器件电化学性能的方法，包括：将外延层中掺杂施主Si元素的β‑Ga2O3在室温条件下进行不同注量的重离子辐照；检测重离子辐照前后β‑Ga2O3外延晶片的单斜结构、弯曲振动、拉伸模式光学性质和化学结合状态；对步骤S2中得到的实验数据进行总结，得出重离子辐照β‑Ga2O3外延晶片后产生的点缺陷；将步骤S3中产生的点缺陷引入β‑Ga2O3MOSFET模型中，输出模拟电学性能曲线。本发明通过将β‑Ga2O3外延晶片的辐照研究与β‑Ga2O3MOSFET器件的模拟研究进行结合，对β‑Ga2O3MOSFET器件抗辐射机理研究产生了显著的效果。