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公开(公告)号：CN117923938A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311694686.4
申请日：2023-12-11
申请人： 国投陶瓷基复合材料研究院(西安)有限公司
IPC分类号： C04B38/00 , C04B35/52 , C04B35/565 , C04B35/56 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种多孔超高温陶瓷及其改性C/SiC复合材料的制备方法。其制备方法包括以下步骤：(1)取间苯二酚、甲醛水溶液与碳酸钠制备溶液1；金属醇盐与正丁醇制备溶液2；去离子水、乙醇和硝酸制备溶液3；然后将溶液1、2和3混合制得含金属溶胶；(2)含金属溶胶经固化和热处理制得多孔超高温陶瓷；(3)C/SiC陶瓷基复合材料于含金属溶胶中浸渍、水热反应、烘干和热处理，制得复合材料。本发明通过溶胶‑凝胶法制备了一种高孔隙率的多孔超高温陶瓷，一方面可以实现陶瓷基复合材料孔隙结构的精细调控；另一方面，通过孔隙的精细调控，提升后续液相渗入多孔C/SiC的润湿动力，材料致密化、基体分布均匀性及抗烧蚀性能。
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公开(公告)号：CN117923910A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311845959.0
申请日：2023-12-28
申请人： 国投陶瓷基复合材料研究院(西安)有限公司
IPC分类号： C04B35/58 , C04B35/622 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , H01Q17/00 , H05K9/00 , G16C60/00 , G06F30/20 , G06F119/08 , G06F113/26 , G06F111/12
摘要： 本发明公开了一种SiBOC陶瓷基吸波超材料及其制备方法，上述SiBOC陶瓷基吸波超材料由若干个平行排布的单元结构组成，单元结构为中空类球形多面体，上下垂直开孔；其制备方法包括以下步骤：绘制SiBOC陶瓷基吸波超材料的模型，通过3D打印制得SiBOC陶瓷基吸波超材料素胚，然后经固化后，高温裂解，制得。本发明以光敏陶瓷先驱体为原料，通过DLP 3D打印工艺实现了全致密复杂结构的SiBOC陶瓷基吸波超材料的高精度制备，具有快速、高效、低成本的优点，制得的吸波超材料在微波波段表现出明显的宽频吸波性能，吸波性能具备偏振不敏感性，在大范围入射角度内均能实现稳定吸波，具有较高的吸波性能稳定性。
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公开(公告)号：CN117902905A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311840206.0
申请日：2023-12-28
申请人： 国投陶瓷基复合材料研究院(西安)有限公司
IPC分类号： C04B35/66 , C04B35/56 , C04B35/622 , C04B35/624 , C04B41/87 , C04B41/89
摘要： 本发明公开了一种陶瓷基复合材料表面超高温陶瓷涂层及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：(1)以间苯二酚、甲醛水溶液、NaHCO3和PVA为原料制备树脂碳涂层溶液，或以酚醛树脂、六次甲基四胺、酒精、丙酮和热塑性树脂为原料制备树脂碳涂层溶液；(2)将陶瓷基复合材料于树脂碳溶液中提拉浸渍，然后依次分段控温固化、预处理；(3)再于金属氧化物溶液中提拉浸渍，然后依次分段控温固化，热解处理，制得。本发明降低了涂层生产制造的成本，解决了涂层制备操作复杂、不均匀以及无法耐高温等问题，制得的涂层具备抗氧化、耐高温、耐腐蚀的性能，结构致密均匀，表面无凸起，粗糙度低。
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公开(公告)号：CN117923940A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311697761.2
申请日：2023-12-11
申请人： 国投陶瓷基复合材料研究院(西安)有限公司
IPC分类号： C04B38/00 , C04B35/571 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种高孔隙率碳化硅陶瓷材料及其制备方法与应用，其制备方法包括以下步骤：通过正硅酸乙酯和无水乙醇制备溶液1，间苯甲酚、甲醛水溶液和无水碳酸钠制备溶液2，去离子水、无水乙醇和冰乙酸制备溶液3；将溶液1、2和3混合后，经水浴、热处理和烧结，制得。本发明制备工艺简单，可通过调整原料的配比以及溶液的粘度有效调控制得高孔隙率碳化硅陶瓷材料的多孔结构，原料成本低，对加工条件的要求较低，可缩短多孔碳化硅陶瓷材料的制备周期，实现多孔碳化硅陶瓷的低成本、大规模生产；制得的高孔隙率碳化硅陶瓷材料可应用于C/SiC复合材料的制备中，实现快速增密，缩短制备周期的同时，降低生产成本。
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