复合吸收体以及高分子吸收剂
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116744881A

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202180088286.1

    申请日:2021-12-15

    IPC分类号: A61F13/53

    摘要: 本发明提供一种能够抑制吸液量相比于细孔容积降低的状况、且吸收性能优异的卫生用品用的复合吸收体。用于吸收液体的卫生用品用的复合吸收体(4)包括具备亲水性的连续骨架以及连续空孔的高分子吸收剂。在该高分子吸收剂中,细孔半径为1μm以上的细孔的细孔容积的比例为总细孔的细孔容积的90%以上。

    复合吸收体以及高分子吸收剂
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116648219A

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202180088297.X

    申请日:2021-12-15

    IPC分类号: A61F13/53

    摘要: 本发明提供能稳定地发挥吸收性能的吸收体。本发明的复合吸收体(1)是一种用于吸收液体的复合吸收体(1),包括具备亲水性的连续骨架以及连续空孔的高分子吸收剂和高吸收性聚合物,所述高分子吸收剂至少含有‑COOH基团以及‑COONa基团作为离子交换基团,并且干燥状态下的单位质量的所述‑COOH基团以及‑COONa基团的总离子交换容量为4.0mg当量/g以上。

    整体状有机多孔离子交换体

    公开(公告)号:CN114007744B

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202080047215.2

    申请日:2020-06-05

    摘要: 一种整体状有机多孔离子交换体,其特征在于,包含连续骨架和连续空孔,该连续骨架是(甲基)丙烯酸酯与二乙烯基苯的交联聚合物的水解物,由具有‑COOH基和‑COONa基中的任一者或两者作为离子交换基团的有机聚合物形成,该连续骨架的厚度为0.1~100μm,该连续空孔的平均直径为1.0~1000μm,总细孔容积为0.5~50.0mL/g,干燥状态下每单位重量的‑COOH基团和‑COONa基团的总离子交换容量为4.0mg当量/g以上。根据本发明,能够提供水、水溶液、亲水性有机溶剂等吸收对象液的吸收性优异的整体状有机多孔离子交换体。

    整体状有机多孔离子交换体
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114007744A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202080047215.2

    申请日:2020-06-05

    摘要: 一种整体状有机多孔离子交换体,其特征在于,包含连续骨架和连续空孔,该连续骨架是(甲基)丙烯酸酯与二乙烯基苯的交联聚合物的水解物,由具有‑COOH基和‑COONa基中的任一者或两者作为离子交换基团的有机聚合物形成,该连续骨架的厚度为0.1~100μm,该连续空孔的平均直径为1.0~1000μm,总细孔容积为0.5~50.0mL/g,干燥状态下每单位重量的‑COOH基团和‑COONa基团的总离子交换容量为4.0mg当量/g以上。根据本发明,能够提供水、水溶液、亲水性有机溶剂等吸收对象液的吸收性优异的整体状有机多孔离子交换体。

    有机酸酯类液体的制造方法,及电子零件制作用阻剂溶剂或电子零件制作用清洗液的制造方法

    公开(公告)号:CN107850837B

    公开(公告)日:2020-12-29

    申请号:CN201680025674.4

    申请日:2016-06-28

    摘要: 课题为提供一种制作电子零件的方法,该方法精密地、减少不良品且产率良好地制作电子零件,尤其提供一种可在使用液体的制作电子零件的各步骤中,提供更优异的阻剂液及清洗液的方法。该课题的解决方法涉及一种有机酸酯类液体的制造方法,该制造方法是将属于电子零件制作用阻剂溶剂的有机酸酯类液体或属于电子零件制作用清洗液的有机酸酯类液体中含有的有机过氧化物去除的方法,且该制造方法通过使该有机酸酯类液体与铂族金属催化剂接触,而去除该有机酸酯类液体中的有机过氧化物;并且涉及一种电子零件制作用阻剂溶剂或电子零件制作用清洗液,其是使用该制造方法去除有机酸酯类液体中含有的有机过氧化物而成,且过氧化物值(POV)为2mmoL/kg以下。

    超纯水的制造方法、超纯水制造系统和离子交换体填充组件

    公开(公告)号:CN111902368A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201980020029.7

    申请日:2019-05-15

    摘要: 本发明提供一种超纯水的制造方法,其特征在于,利用超纯水制造装置处理超纯水制造用原料水,并将得到的超纯水供给至使用点,上述超纯水制造用原料水含有B、As、Al、Ti、Cr、Fe、Cu、Zn、Sn、V、Ga和Pb中的至少一种以上的元素,在上述超纯水制造装置的处理路径中或从上述超纯水制造装置至上述使用点的输送路径中,设置至少填充有整块状有机多孔阴离子交换体的离子交换体填充组件,将被处理水通入该离子交换体填充组件进行处理。根据本发明,可提供一种制造半导体制造工艺用超纯水的方法,其使用至少含有B、As、Al、Ti、Gr、Fe、Cu、Zn、Sn和Sb中的任一种以上的超纯水制造用原料水作为超纯水制造用原料水。