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发明授权
一种基于半桥结构和陷波器的电池均衡拓扑及控制方法有权

公开(公告)号：CN112350403B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202011209133.1

申请日：2020-11-03

申请人： 山东大学(CN)

发明人： 商云龙 , 王孝乾 , 张承慧 , 段彬 , 张奇

IPC分类号： H02J7/00 , H02M3/335

摘要： 本发明公开了一种基于半桥结构和陷波器的电池均衡拓扑及控制方法，包括：由开关管组成的半桥结构，所述半桥结构的每一个开关管两端均并联输入电容；若干电池单体串联后与半桥结构并联连接；每一个电池单体的两端均并联变压器的次级线圈，变压器的初级线圈串联电容构成陷波器，所述陷波器的两端分别连接到半桥结构的中点和输入电容的中点；各电池单体对应的陷波器并联连接。本发明采取半桥结构的LC串联谐振拓扑，用LC串联谐振结构代替了以往主动均衡电路中的开关管，电路使用的开关管数量大大降低，减小了电路体积，降低了电路制作成本。