壳核分子印迹二氧化硅/金纳米粒子复合材料的制备

    公开(公告)号:CN107213858B

    公开(公告)日:2020-06-26

    申请号:CN201710315692.2

    申请日:2017-05-08

    Applicant: 常州大学

    Inventor: 孔泳 张洁 顾嘉卫

    Abstract: 本发明涉及一种壳核分子印迹二氧化硅/金纳米粒子复合材料的制备方法,包括以下步骤:制备二氧化硅纳米球、制备氨基改性二氧化硅纳米球、制备壳核分子印迹二氧化硅/金纳米粒子复合材料。本发明的有益效果:无机分子印迹纳米材料的制备过程环保、廉价,且金纳米粒子的引入有效地增加了分子印迹材料对于半胱氨酸对映体的识别效果。

    一种CuMn2O4-石墨烯超级电容器复合电极材料的制备方法

    公开(公告)号:CN110734095A

    公开(公告)日:2020-01-31

    申请号:CN201910975954.7

    申请日:2019-10-15

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明属于新型能源超级电容器领域,尤其是一种铜锰氧化物-石墨烯复合材料。本发明针对传统储能技术功率密度差、周期稳定性短、充放电速率低等缺陷,提供一种应用于超级电容器的铜锰氧化物-石墨烯复合材料及其制备方法。本发明采用Hummers法制备氧化石墨烯,再通过电化学还原法得到还原石墨烯,采用传统的溶胶-凝胶法制备CuMn2O4材料,再通过物理研磨将石墨烯和CuMn2O4混合均匀制得CuMn2O4-RGO复合材料。本发明方法的制备工艺、设备简单,原料廉价易得,且当所制备的CuMn2O4-RGO复合材料质量比为1:1,电流密度为1 A/g时,电容高达341.56 F/g,超过常见的大部分超级电容器电极材料,是一种具有极大潜在应用前景的电极材料。

    一种石墨烯/凹凸棒土传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN109959687A

    公开(公告)日:2019-07-02

    申请号:CN201910347255.8

    申请日:2019-04-28

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明属于电化学传感器领域,尤其是一种基于石墨烯/凹凸棒土传感器的制备方法。本发明针对传感器材料、技术方面的落后,提供了一种石墨烯/凹凸棒土复合材料的非酶传感器的制备方法。本发明采用电化学法制备复合材料,利用凹凸棒土的极大的比表面积和良好的吸附性能,和石墨烯良好的电催化性能,来增强修饰电极对色素检测效果。对赤藓红色素进行了电化学检测。并且与石墨烯修饰电极相比,石墨烯/凹凸棒土复合材料修饰电极对色素的电化学检测有更宽的线性范围和更低的检测限。

    树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极应用于电化学识别色氨酸对映体

    公开(公告)号:CN107238644B

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201710323930.4

    申请日:2017-05-08

    Applicant: 常州大学

    Inventor: 孔泳 张洁 顾嘉卫

    Abstract: 本发明涉及树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极应用于电化学识别色氨酸对映体,包括以下步骤:树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极的制备、色氨酸对映体的电化学识别、色氨酸对映体的识别重现性。本发明的有益效果:二氧化硅的刚性较强,从而在识别与再生的过程中,印迹空腔不容易发生变形和塌陷,且非离子表面活性剂C20聚氧乙烯醚含有大量的含氧官能团,因此C20聚氧乙烯醚可通过氢键作用诱导分子印迹二氧化硅在氧化铟锡电极表面生长,这有利于分子印迹二氧化硅电化学识别氨基酸对映体。

    分子印迹过氧化聚吡咯/二氧化锰/碳毡复合材料的制备

    公开(公告)号:CN107121470B

    公开(公告)日:2019-05-28

    申请号:CN201710315124.2

    申请日:2017-05-08

    Applicant: 常州大学

    Inventor: 孔泳 张洁 顾嘉卫

    Abstract: 本发明涉及一种分子印迹过氧化聚吡咯/二氧化锰/碳毡复合材料的制备方法,包括以下步骤:制备二氧化锰/碳毡复合材料、制备分子印迹过氧化聚吡咯/二氧化锰/碳毡复合材料。本发明的有益效果:分子印迹过氧化聚吡咯/二氧化锰/碳毡复合材料的制备成本低,制备过程简单、环保。

    分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极的制备

    公开(公告)号:CN107219277A

    公开(公告)日:2017-09-29

    申请号:CN201710315123.8

    申请日:2017-05-08

    Applicant: 常州大学

    Inventor: 孔泳 张洁 顾嘉卫

    CPC classification number: G01N27/308 G01N27/3277 G01N27/36

    Abstract: 本发明涉及一种分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极的制备方法,包括以下步骤:制备聚对氨基苯磺酸修饰电极、制备分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极。本发明的有益效果:分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极的制备过程简单环保无污染。此外,聚对氨基苯磺酸的引入可增加与色氨酸三维空间匹配的空腔数量,从而得到的分子印迹材料对于色氨酸对映体的识别效率显著提升。

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