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发明公开
用于先进封装的TSV形成方法审中-实审

公开(公告)号：CN116583934A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202180073827.3

申请日：2021-10-06

申请人： 应用材料公司

发明人： 所鹏 , Y·W·王 , 徐源辉 , 龙昌范 , A·桑达拉江

IPC分类号： H01L21/304

摘要： 本公开涉及用于先进晶片级半导体封装的具有互连介电屏蔽的通孔结构。本文所述的方法使得能够在低深宽比的通孔结构内形成高厚度介电屏蔽层，从而促进具有高1I/O密度和改善的带宽和功率的薄且小形状因子的封装结构。